用于衬底涂层的底漆材料制造技术

提供了涂布技术和底漆材料。在示例性实施例中，涂布技术包括接收衬底和识别其上将形成层的衬底的材料。底漆材料分配在衬底的材料上，以及将成膜材料施加至底漆材料。底漆材料包括包含基于衬底材料的属性的第一基团和基于成膜材料的属性的第二基团的分子。衬底材料和成膜材料的合适的属性包括水亲和力和极性程度，并且第一基团和第二基团可以选择为具有分别与衬底材料和成膜材料的水亲和力或极性程度对应的水亲和力或极性程度。本发明专利技术的实施例还涉及用于衬底涂层的底漆材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及底漆材料，更具体地，涉及用于衬底涂层的底漆材料。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。在IC演化过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。然而，这种按比例缩小也已经伴随着包含这些IC的器件的设计和制造的复杂性的增加，并且为了实现这些进步，需要器件制造中的类似发展。仅作为一个实例，许多制造步骤涉及形成在衬底或晶圆上的材料的薄膜的形成和操作。这些膜层的缺陷、缺点、不规则和污染物可以破坏制造工艺并且可以出乎意料地影响产量和器件性能。当膜彼此层叠时，下面的层中的即使小的缺陷的影响可能会被放大。因此，均匀性和精确应用的重要性怎么强调也不为过。旋涂是用于在衬底上形成材料薄层的一种技术，该技术在一些应用中已经证明是令人满意的。旋涂可以涉及在衬底的中心处沉积液体形式的材料以及旋转衬底以将液体驱至边缘。在这种方式中，旋涂利用液体的离心倾向以产生明显均匀厚度的膜。然而，虽然现有的旋涂技术通常已经足够，但是未来改进的潜力仍然存在。例如，最终膜的均匀性仍可以改进。作为另一个实例，因为许多先进的制造工艺依赖于日益昂贵的材料，因此使用较少液体的改进的覆盖可以有意义地减小每个器件的成本。由于这些原因或其它的原因，对旋涂技术的额外的改进保持了提高制造产量以及减小成本和浪费的潜力。
技术实现思路
本专利技术的一个实施例提供了一种电路器件制造的方法，所述方法包括：接收衬底；识别所述衬底的材料，其中在所述衬底上将形成层；在所述衬底的所述材料上分配底漆材料；以及将成膜材料施加至所述底漆材料，其中，所述底漆材料包括包含基于所述材料的属性的第一基团和基于所述成膜材料的属性的第二基团的分子。本专利技术的另一实施例提供了一种膜形成的方法，所述方法包括：接收衬底，所述衬底的顶面处具有材料；基于所述衬底的所述材料的性质选择使用涂布技术施加的底漆材料；将选择的底漆材料施加至所述衬底的所述材料；将成膜材料施加至所述底漆材料；以及蒸发所述底漆材料和所述成膜材料以留下所述成膜材料的组分。本专利技术的又一实施例提供了一种涂布底漆，包括：分子，所述分子具有与衬底材料相关的第一分子基团和与施加在所述涂布底漆上的成膜材料相关的第二分子基团。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1是根据本专利技术的各个方面的旋涂系统的侧视图。图2是根据本专利技术的各个方面的旋涂系统的俯视图。图3是根据本专利技术的各个方面的用于将膜施加至衬底的方法的流程图。图4是根据本专利技术的各个方面的实施将膜施加至衬底的方法的旋涂系统的侧视图。图5至图7是根据本专利技术的各个方面的在施加膜的方法中适合于用作底漆材料的化学化合物的分子图。图8至图11是根据本专利技术的各个方面的实施将膜施加至衬底的方法的旋涂系统的另外的侧视图。具体实施方式本专利技术总的来说涉及IC器件制造，以及更具体地，涉及利用改进的底漆材料的旋涂的改进的技术。以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。例如，如果翻转图中的器件，作为“在…下方”、“在…之下”的其它元件或部件所描述的元件将在之后的其它元件或部件的“在…之上”的方位上。因此，示例性术语“在…下方”可以包括在…之上和在…下方的方位上。装置可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。本专利技术涉及使用旋涂或类似的技术将材料施加至诸如半导体衬底的工件。参照图1和图2描述了适用于实施这种技术的旋涂系统100的实例。在这方面，图1是根据本专利技术的各个方面的旋涂系统100的侧视图，以及图2是根据本专利技术的各个方面的旋涂系统100的俯视图。为了清楚和易于解释，该图的一些元件已经简化。旋涂系统100利用衬底102的旋转以将液体分布至表面。相应地，系统100可以包括可操作为保持和旋转衬底102的旋转卡盘104。该卡盘104可以使用任何方法以保持衬底102，以及在一些示例性实施例中，卡盘104是真空卡盘104。相应地，在示出的实施例中，卡盘104内的中心腔与真
空泵连接。卡盘104靠着衬底102的背面密封，以及抽空腔内的空气以将衬底102保持在适当的位置。一旦固定衬底102，卡盘104围绕中心轴106旋转，也引起保持的衬底102旋转。根据应用，转速可以达到或超过3000rpm。由于增加的湍流和旋转的不稳定性，用于较大晶圆的最大转速趋于更小，以及用于300mm的衬底102的最大转速可以在约800rpm和约4000rpm之间。为了控制施加的液体的散布，卡盘104(以及相关地衬底102)的转速在整个旋涂技术中可以改变。为了提供液体，旋涂系统100可以包括安装在活动电枢110上的一个或多个喷嘴108以及相关联的供应线。当固定新的衬底102时，活动电枢110可以将喷嘴重新定位至加载路径之外的“原“位置，并且一旦已经加载衬底102，活动电枢110将喷嘴移动至衬底102的中心部分上方的位置。在一些实施例中，在旋涂工艺期间，活动电枢110也允许喷嘴108定位在沿着衬底102的半径的任何位置。除了液体供应喷嘴108，系统100可以包括位于电枢110上并且旨在将空气导向涂布的衬底表面的一个或多个气体输送喷嘴108。气体输送喷嘴108可以将环境空气或诸如氮气、氩气和/或氦气的一种或多种气体吹到衬底表面上。当供应气体时，活动电枢110可以使喷嘴108在旋转衬底102的整个表面扫描，以驱使液体向外。可以加热通过气体输送喷嘴108提供的空气以控制在衬底102上提供的液体的粘度、厚度、蒸发和/或凝固。例如，在一些实施例中，通过气体输送喷嘴108提供的空气保持在约23℃以保持液体的粘性而不过度干燥。除了气体输送喷嘴108或作为替代的，旋涂系统100可以包括将空气导向形成膜的衬底102的表面的下沉气流装置112。类似于气体输送喷嘴108，气流装置112可以将周围空气或诸如氮气、氩气和/或氦气的一种或多种气体吹至衬底表面处。可以加热通过气流装置112提供的空气，以控制在衬底上提供的液体的粘度、厚度、蒸发和/或凝固。在这方面，为了产生更厚的膜，施加工艺期间的一定程度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路器件制造的方法，所述方法包括：接收衬底；识别所述衬底的材料，其中在所述衬底上将形成层；在所述衬底的所述材料上分配底漆材料；以及将成膜材料施加至所述底漆材料，其中，所述底漆材料包括包含基于所述材料的属性的第一基团和基于所述成膜材料的属性的第二基团的分子。

【技术特征摘要】
2015.03.16 US 62/133,755;2015.07.06 US 14/791,8771.一种电路器件制造的方法，所述方法包括：接收衬底；识别所述衬底的材料，其中在所述衬底上将形成层；在所述衬底的所述材料上分配底漆材料；以及将成膜材料施加至所述底漆材料，其中，所述底漆材料包括包含基于所述材料的属性的第一基团和基于所述成膜材料的属性的第二基团的分子。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一基团配置为具有与所述衬底的所述材料的水亲和力对应的水亲和力，并且其中，所述第二基团配置为具有与所述成膜材料的水亲和力对应的水亲和力。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一基团配置为具有与所述衬底的所述材料的极性程度对应的极性程度，并且其中，所述第二基团配置为具有与所述成膜材料的极性程度对应的极性程度。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一基团和所述第二基团的至少一个包括羟基、胺基、酰胺基、巯基、酯、羧酸、酸酐基团、硅烷、环氧基、酮、氰基、异氰基或酰亚胺基的至少一种。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一基团和所述第二基团的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘朕与，张庆裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71