制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术提供了一种制造半导体器件的方法。方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中至少部分地形成导电区；在衬底上方形成介电层；在介电层上方形成硬掩模，硬掩模具有位于导电区上方的开口；通过第一蚀刻气体干蚀刻介电层以形成凹进的部件，其中，因此在凹进的部件的底部处暴露出导电区的表面，并且在凹进的部件的内表面处形成副产物膜；以及通过第二蚀刻气体干蚀刻介电层，其中，第二蚀刻气体与副产物膜和导电区化学反应，并且因此在凹进的部件的底部周围构建牺牲层。本发明专利技术还涉及制造半导体器件的干蚀刻气体和方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造半导体器件的干蚀刻气体和方法。
技术介绍
通常通过沉积、生长、图案化和蚀刻一系列的层形成固态器件。不同的层可以包括导电、半导电或绝缘材料。通常地，各向异性地蚀刻这样的层以形成固态器件的各种原件。各向异性蚀刻也可以用来去除各层而不会破坏先前形成的元件。各向异性蚀刻可以称为干蚀刻。干蚀刻可以是反应离子蚀刻(RIE)或氩溅射操作。然而，各向异性蚀刻的一个问题是它们通常留下副产物的残留层。这些副产物可以是干扰诸如硅化物形成的后续半导体处理的污染物。由于这种原因，湿蚀刻因此结合至各向异性蚀刻操作。可以在各向异性蚀刻操作之后实施湿蚀刻以去除不期望的残留层。不幸的是，除了副产物外，化学湿蚀刻剂还可以去除不应当被去除的重要部分。因此，在半导体制造产业相关的领域中用于在蚀刻操作期间缓解上述问题的新机制已成为迫切需要。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，根据本专利技术的一些实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中至少部分地形成导电区；在所述衬底上方形成介电层；在所述介电层上方形成硬掩模，所述硬掩模具有位于所述导电区上方的开口；通过第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中至少部分地形成导电区；在所述衬底上方形成介电层；在所述介电层上方形成硬掩模，所述硬掩模具有位于所述导电区上方的开口；通过第一蚀刻气体干蚀刻所述介电层以形成凹进的部件，其中，因此在所述凹进的部件的底部处暴露出所述导电区的表面，并且在所述凹进的部件的内表面处形成副产物膜；以及通过第二蚀刻气体干蚀刻所述介电层，其中，所述第二蚀刻气体与所述副产物膜和所述导电区化学反应，并且因此在所述凹进的部件的底部周围构建牺牲层。

【技术特征摘要】
2015.03.31 US 14/674,4571.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中至少部分地形成导电区；在所述衬底上方形成介电层；在所述介电层上方形成硬掩模，所述硬掩模具有位于所述导电区上方的开口；通过第一蚀刻气体干蚀刻所述介电层以形成凹进的部件，其中，因此在所述凹进的部件的底部处暴露出所述导电区的表面，并且在所述凹进的部件的内表面处形成副产物膜；以及通过第二蚀刻气体干蚀刻所述介电层，其中，所述第二蚀刻气体与所述副产物膜和所述导电区化学反应，并且因此在所述凹进的部件的底部周围构建牺牲层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一蚀刻气体包括含氟化学物质。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一蚀刻气体包括CF4和CHF3。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻气体包括H2和N2。5.根据权利要求4所述的方法，其中，H2气体的流...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪雨利，孔德明，陈志壕，陈科维，王英郎，张宏睿，曾鸿輝，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71