与等离子体源耦合的LED型光源制造技术

一种被配置成从基板的表面和从基板处理腔室的内部移除金属蚀刻副产物的设备。等离子体与固态光源(诸如LED)结合使用以脱附金属蚀刻副产物。接着可从腔室移除被脱附的副产物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480056680

【技术保护点】
一种基板处理系统，包括：基板处理腔室，所述基板处理腔室具有由一个或更多个腔室壁围绕的基板处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件被配置成在基板处理操作期间于所述基板处理区域中支撑基板；气体输送系统，所述气体输送系统被配置成将一种或更多种工艺气体输送至所述基板处理区域；等离子体源，所述等离子体源操作性地耦接至所述基板处理腔室；窗口，所述窗口位于所述腔室壁中的一个腔室壁上；多个LED，所述多个LED位于所述基板处理腔室的外部，并且所述多个LED被配置成通过所述窗口将辐射发射到所述腔室中；控制器，所述控制器操作性地耦接至所述等离子体源和所述多个LED。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.03 US 61/886,521;2013.10.07 US 61/887,830;1.一种基板处理系统，包括：基板处理腔室，所述基板处理腔室具有由一个或更多个腔室壁围绕的基板处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件被配置成在基板处理操作期间于所述基板处理区域中支撑基板；气体输送系统，所述气体输送系统被配置成将一种或更多种工艺气体输送至所述基板处理区域；等离子体源，所述等离子体源操作性地耦接至所述基板处理腔室；窗口，所述窗口位于所述腔室壁中的一个腔室壁上；多个LED，所述多个LED位于所述基板处理腔室的外部，并且所述多个LED被配置成通过所述窗口将辐射发射到所述腔室中；控制器，所述控制器操作性地耦接至所述等离子体源和所述多个LED。2.如权利要求1所述的基板处理系统，进一步包括：偏压系统，所述偏压系统被配置成于所述基板与电极之间施加偏压。3.如权利要求2所述的基板处理系统，其中所述控制器被进一步配置成按顺序脉冲所述等离子体源和所述多个LED。4.如权利要求1所述的基板处理系统，进一步包括：光导管，所述光导管被设置成至少部分地位于所述LED与所述窗口之间，所述光导管被配置成将来自所述LED的光导引至所述窗口。5.如权利要求1所述的基板处理系统，进一步包括：透镜，所述透镜设置于所述LED与所述基板支撑件之间，所述透镜被配置成聚焦或散射来自所述LED的光能量。6.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述多个LED包括：具有第
\t一波长的第一组LED和具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：萨布哈什·德什，约瑟夫·约翰逊，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US