半导体器件结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底和位于衬底上方的第一介电层。半导体器件结构包括位于第一介电层上方的第二介电层。第一介电层和第二介电层由不同的材料制成。半导体器件结构包括穿过第一介电层并且穿入第二介电层内的导电通孔结构。导电通孔结构具有第一部分和第二部分，第一部分和第二部分分别位于第一介电层和第二介电层中。第一部分具有面向衬底的第一端部，并且第一端部的第一宽度大于第二部分的第二宽度。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请与于2015年3月16日提交的且标题为“SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME”的共同代决和共同转让的美国专利申请第14658,525号，其全部内容结合于此作为参考。
本专利技术涉及半导体器件结构及其形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业经历了快速发展。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代的IC。每代IC都具有比上一代IC更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加了加工和生产IC的复杂度在IC发展工艺中，功能密度(即，每一芯片面积上互连器件的数量)通常已经增加而几何尺寸(即，使用制造工艺可以制造的最小的组件(或线))却已减小。通常这种按比例缩小工艺通过提高生产效率和降低相关成本而带来益处。然而，由于部件尺寸继续减小，制造工艺继续变得难以实施。因此，形成越来越小尺寸的可靠的半导体器件是一种挑战。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，根据本专利技术的一些实施例，提供了一种半导体器件结构，包括：衬底；第一介电层，位于所述衬底上方；第二介电层，位于所述第一介电层上方，其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件结构，包括：衬底；第一介电层，位于所述衬底上方；第二介电层，位于所述第一介电层上方，其中，所述第一介电层和所述第二介电层由不同的材料制成；以及导电通孔结构，穿过所述第一介电层并且穿透到所述第二介电层内，其中，所述导电通孔结构具有第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别位于所述第一介电层和所述第二介电层中，所述第一部分具有面向所述衬底的第一端部，并且所述第一端部的第一宽度大于所述第二部分的第二宽度。

【技术特征摘要】
2015.03.16 US 14/659,1701.一种半导体器件结构，包括：衬底；第一介电层，位于所述衬底上方；第二介电层，位于所述第一介电层上方，其中，所述第一介电层和所述第二介电层由不同的材料制成；以及导电通孔结构，穿过所述第一介电层并且穿透到所述第二介电层内，其中，所述导电通孔结构具有第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别位于所述第一介电层和所述第二介电层中，所述第一部分具有面向所述衬底的第一端部，并且所述第一端部的第一宽度大于所述第二部分的第二宽度。2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：导电线，位于所述第二介电层中并且位于所述导电通孔结构上方。3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述导电通孔结构的所述第二部分与所述导电线直接接触。4.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述第一端部的所述第一宽度小于所述导电线的第三宽度。5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述第一部分还具有邻近所述第二部分的第二端部，并且所述第一端部的所述第一宽度大于所述第二端部的第三宽度。6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：第三介电层，位于所述衬底和所述第一介电层之间；以及导电线，位于所述第三介电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈威廷，张哲诚，吕祯祥，刘又诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71