动态随机存取存储器的有源区接触窗及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种动态随机存取存储器的有源区接触窗及其制造方法，其中的存储器有源区制造方法，包括在基板上形成导电层，覆盖接触窗区域与位线。上述动态随机存取存储器至少包括基板、基板内的隔离结构、经由隔离结构隔开的有源区、穿过有源区的埋入式字线以及基板上的位线，其中每一有源区包括多个接触窗区域。在形成导电层后，去除接触窗区域以外的上述导电层，以形成多个有源区接触窗，再于所述基板上形成绝缘层，覆盖有源区接触窗。

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器的有源区接触窗及其制造方法
本专利技术涉及一种动态随机存取存储器(DRAM)，尤其涉及一种动态随机存取存储器的有源区接触窗(AAcontact)及其制造方法。
技术介绍
随着大厂扩厂影响，存储器市场环境日趋严峻，各家大厂积极戮力于制程技术研发及降低制程成本，制程微缩为主要成本降低的途径。芯片尺寸(chipsize)缩小不仅对于曝光机台技术及蚀刻能力极具挑战，还因为字线间距和存储器阵列的隔离结构不断缩小，导致种种不良影响。譬如接触窗(contact)阻值Rs部分，因为芯片尺寸的微缩，导致接触窗体积跟着减少，进而大幅增加接触窗阻值，故如何改善接触窗Rs也是一大课题。目前的接触窗是采行后形成的沟填方式，即通过蚀刻制程在绝缘层或介电层中蚀刻出接触窗开口，再填入导体材料。
技术实现思路
本专利技术提供一种动态随机存取存储器的有源区接触窗及其制造方法，能改善接触窗阻值并扩大接触窗的制程窗(processwindow)。本专利技术的一种动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，包括在基板上形成导电层，覆盖接触窗区域与位线。所述动态随机存取存储器至少包括基板、基板内的隔离结构、经由隔离结构隔开的有源区、穿过有源区的埋入式字线以及基板上的位线，其中每一有源区包括多个接触窗区域。然后，去除接触窗区域以外的上述导电层，以形成多个有源区接触窗，再于所述基板上形成绝缘层，覆盖有源区接触窗。在本专利技术的一实施例中，上述有源区接触窗的形成方法包括利用点状光刻和蚀刻去除接触窗区域以外的导电层，形成柱形的有源区接触窗。在本专利技术的一实施例中，上述有源区接触窗的形成方法包括先平坦化导电层直到露出位线的顶面，再利用线型光刻和蚀刻去除接触窗区域以外的导电层。在本专利技术的一实施例中，去除上述接触窗区域以外的导电层的步骤包括留下多条导电线层，而形成上述绝缘层的方法包括利用自行氧化技术，将部分导电线层转变为绝缘材料。在本专利技术的一实施例中，上述自行氧化技术包括临场蒸气产生技术(ISSG)、湿式氧化法或低温等离子氧化法(SPAoxide)。在本专利技术的一实施例中，形成上述绝缘层的方法包括共形地形成覆盖有源区接触窗的氮化硅层与氮氧化硅层，再利用旋涂法在基板上形成旋涂式玻璃层(SOG)。在本专利技术的一实施例中，形成上述绝缘层的方法包括利用原子层沉积(ALD)在基板上的有源区接触窗之间填入氮化硅层。在本专利技术的一实施例中，形成上述导电层之前还可在位线的侧面形成间隙壁，以隔离导电层与位线。本专利技术另提供一种动态随机存取存储器的有源区接触窗，能在芯片尺寸日益缩减时仍维持其低阻值并具有较大的底面积。本专利技术的另一种动态随机存取存储器的有源区接触窗，所述动态随机存取存储器至少包括基板、基板内的隔离结构、经由隔离结构隔开的有源区、穿过有源区的埋入式字线、以及在基板上与埋入式字线相交的位线。每一有源区包括多个接触窗区域。所述有源区接触窗分别位于所述接触窗区域上，其中每一有源区接触窗为柱形；在两两位线之间的有源区接触窗的侧面为弧面；以及每一有源区接触窗的底面面积大于顶面面积，且底面是直接与接触窗区域接触的那一面。在本专利技术的另一实施例中，上述有源区接触窗的材料包括多晶硅。在本专利技术的另一实施例中，上述有源区接触窗与位线接触的面为平面。在本专利技术的另一实施例中，上述有源区接触窗的顶面高于位线的顶面。在本专利技术的另一实施例中，上述有源区接触窗的顶面与位线的顶面齐平。基于上述，本专利技术通过先形成接触窗再形成接触窗之间的绝缘层的方式，来增加有源区接触窗与有源区的接触面积，进而降低接触窗阻值Rs，并且因为有源区接触窗先形成，所以能避免现有位线与接触窗短路或临界电压变低的问题。另外，当本专利技术运用自行氧化技术形成上述绝缘层，还可避免存储器区与周边区之间的阶梯高度差。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A至图1D是依照本专利技术的第一实施例的一种动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造流程剖面示意图；图2是图1C的动态随机存取存储器的布局示意图；图3A至图3D是依照本专利技术的第二实施例的多种动态随机存取存储器的有源区接触窗的立体示意图；图4A至图4B是依照本专利技术的第三实施例的一种动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造流程剖面示意图；图5是图4A的动态随机存取存储器的布局示意图；图6A至图6C是依照本专利技术的第四实施例的一种动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造流程剖面示意图。附图标记说明：100：基板；100a：接触窗区域；102：隔离结构；104：埋入式字线；106：位线；106a、124a、304、322、400a、602a、604a：顶面；108：绝缘结构；112：外延层或多晶硅层；114：金属层；116：氮化硅层；118：间隙壁；120：阻障层；122：导电层；124、300a、300b、300c、300d、400、604：有源区接触窗；124b、306、324：底面；126：氮化硅层或氮化硅/氮氧化硅的叠层；128：旋涂式玻璃层；200：有源区；202：接触窗区域；302、310、316、320：平面；308、312、314、318、602b、604b：侧面；402：氮化硅层；600：掩膜；602：导电线层；606：绝缘材料。具体实施方式本文中请参照附图，以便更加充分地体会本专利技术的概念，随附图中显示本专利技术的实施例。但是，本专利技术还可采用许多不同形式来实践，且不应将其解释为限于底下所述的实施例。实际上，提供实施例仅为使本专利技术更将详尽且完整，并将本专利技术的范畴完全传达至所属
技术人员。在图式中，为明确起见可能将各层以及区域的尺寸以及相对尺寸作夸张的描绘。图1A至图1D是依照本专利技术的第一实施例的一种动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造流程剖面示意图。请参照图1A，本实施例的动态随机存取存储器，至少包括基板100、基板100内的隔离结构102、经由隔离结构102隔开的有源区(即隔离结构102之间的基板100位置)、穿过有源区的埋入式字线104以及基板100上的位线106。埋入式字线104与位线106之间可具有绝缘结构108将两者隔开。而位线106例如由外延层或多晶硅层112、金属层114与氮化硅层116构成的，但本专利技术并不限于此。另外，可在位线106的侧面形成间隙壁118，以保护位线106不受后续制程影响。埋入式字线104与基板100之间则通常会有一层阻障层120。在一实施例中，隔离结构102的材料例如氧化硅、氮化硅或其他适合的材料。在一实施例中，埋入式字线104的材料例如钨、铝、铜或其他适合的材料。在一实施例中，绝缘结构108例如氧化硅、氮化硅或其他适合的材料。在一实施例中，金属层114的材料例如钛、氮化钛、钨或铝/铜的叠层及其他的适合材料。在一实施例中，间隙壁118的材料例如氧化硅、氮化硅或其他适合的材料。在一实施例中，阻障层120例如氧化硅或其他适合的材料。接着，请参照图1B，在基板100上形成导电层122，覆盖每一有源区内的接触窗区域100a，且导电层122的厚度如够大，可覆盖位线的顶面106a。导电层122的材料例如掺杂多晶硅、钛、氮化钛、钨或其他合适的导电材料。然后，请参照图1C，去除接触窗区域100a以外的导电层(请见图1B的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，其特征在于，所述动态随机存取存储器至少包括基板、所述基板内的多个隔离结构、经由所述隔离结构隔开的多个有源区、穿过所述有源区的数条埋入式字线、以及所述基板上的多条位线，其中每一所述有源区包括多个接触窗区域，所述制造方法包括：在所述基板上形成导电层，覆盖所述接触窗区域与所述位线；去除所述接触窗区域以外的所述导电层，以形成多个有源区接触窗；以及在所述基板上形成绝缘层，覆盖所述有源区接触窗。

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，其特征在于，所述动态随机存取存储器至少包括基板、所述基板内的多个隔离结构、经由所述隔离结构隔开的多个有源区、穿过所述有源区的数条埋入式字线、以及所述基板上的多条位线，其中每一所述有源区包括多个接触窗区域，所述制造方法包括：在所述基板上形成导电层，覆盖所述接触窗区域与所述位线；去除所述接触窗区域以外的所述导电层，以形成多个有源区接触窗；以及在所述基板上形成绝缘层，覆盖所述有源区接触窗。2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，其特征在于，形成所述有源区接触窗的方法包括：利用点状光刻和蚀刻去除所述接触窗区域以外的所述导电层，形成柱形的所述有源区接触窗。3.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，其特征在于，形成所述有源区接触窗的方法包括：平坦化所述导电层直到露出所述位线的顶面；以及利用线型光刻和蚀刻去除所述接触窗区域以外的所述导电层。4.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，其特征在于，去除所述接触窗区域以外的所述导电层的步骤包括留下多条导电线层；以及形成所述绝缘层的方法包括利用自行氧化技术，将部分所述导电线层转变为绝缘材料。5.根据权利要求4所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，其特征在于，所述自行氧化技术包括临场蒸气产生技术、湿式氧化法或低温等离子氧化法。6.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，其特征在于，形成所述绝缘层的方法包括：共形地形成覆盖所述有...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈佩瑜，欧阳自明，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71