讨论了一种接合卡盘与使用该接合卡盘的方法及包括该接合卡盘的工具。一种方法包括：在第一接合卡盘的第一表面上加载第一晶圆；在第二接合卡盘上加载第二晶圆；以及将第一晶圆接合至第二晶圆。至少部分地通过第一球面的第一部分和第二球面的第二部分来限定...

本发明提供了用于闪存单元的诸如纳米硅尖(SiNT)薄膜的量子纳米尖(QNT)以增大擦除速度。QNT薄膜包括第一介电层和布置在第一介电层上方的第二介电层。此外，QNT薄膜包括布置在第一介电层上方并且延伸至第二介电层内的QNT。QNT高宽比...

本公开提供一种中介层及其制造方法、电子装置和保护装置，中阶层包括具有一半导体基底以及电性连接基底通孔电极的一接面金属。该半导体基地包括一主表面及至少局部穿过该半导体基底的一基底通孔电极。接面金属与位于半导体基底的一主表面的一掺杂区接触而...

本发明提供了用于将第一衬底附接至第二衬底的方法和装置。在一些实施例中，第一衬底具有位于管芯附接区周围的诸如焊料掩模的保护层，在管芯附接区中，第一衬底附接至第二衬底。遮挡区(例如，第二衬底和保护层之间的区域)是位于第二衬底周围的区域，其中...

一种失效保护电路，包括：第一NMOS晶体管，栅极连接至第一电压节点，漏极连接至第一控制端；第一PMOS晶体管，栅极连接至第一NMOS晶体管的源极，源极连接至第一电压节点；第二PMOS晶体管，栅极连接至第二控制端，源极连接至第一PMOS晶...

本发明提供了一种用于半导体器件的伸长凸块结构。最上方保护层中具有穿过该保护层的开口。在开口中形成有柱状物，并且该柱状物延伸至最上方保护层的至少一部分上方。延伸到最上方保护层上方的部分通常为伸长形状。在实施例中，相对于凸块结构的部分的开口...

本发明涉及具有使用不同互连层耦合的未对准金属线的互连结构、半导体芯片及布局。在一些实施例中，一种互连结构包含第一金属线、第二金属线及第一连接结构。所述第一金属线形成于第一互连层中，在长度上大体上沿着第一方向延伸且在第一末端部分处结束。所...

本发明提供具有不同厚度的堆叠金属层。更具体的，本发明涉及一种半导体芯片，其包含多个堆叠导电层。所述多个堆叠导电层包含第一导电层、第二导电层，以及第三导电层。所述第一导电层安置于所述第二导电层的第一侧上。所述第三导电层安置于所述第二导电层...

一种晶体管器件包括具有第一区和第二区的衬底；具有位于第一区上方的第一部分和位于第二区上方的第二部分的第一半导体材料的第一半导体层，第一部分与第二部分分隔开；位于第一半导体层的第二部分上方的第二半导体材料的第二半导体层；第一导电类型的第一...

提供了图案化诸如集成电路工件的工件的技术。在示例性的实施例中，所述方法包括接收指定将在工件上形成的多个部件的数据集。基于多个部件的第一组部件实施工件的硬掩模的第一图案化，并将第一间隔件材料沉积在图案化硬掩模的侧壁上。基于第二组部件实施第...

本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。将诸如集成电路管芯的器件安装在诸如另一管芯、封装衬底、内插器等的衬底上，并且沿着划线在衬底中形成凹槽。在凹槽中以及在邻近的管芯之间形成一个或多个模塑料层。可以实施背侧减薄工艺以暴露凹槽中的模塑料。...

本发明提供一种将设计形状转换成像素值的方法。该方法可用于控制对工件执行的直写或其他的光刻工艺。在示例性实施例中，该方法包括计算系统接收设计数据库，该设计数据库指定具有四个以上的顶点的部件。计算系统还接收像素栅格。确定对应于部件的一组矩形...

本发明涉及一种结构和一种用于减少集成电路中的CMP凹陷的方法。在一些实施例中，该结构具有带有嵌入式存储器区域和外围区域的半导体衬底。一个或多个伪结构形成在存储器区域和外围区域之间。将伪结构放置在嵌入式存储器区域和外围区域之间导致位于其间...

本发明提供了一种封装件，包括模塑料、穿过模塑料的通孔、模制在模塑料中的器件管芯以及位于模塑料上并接触模塑料的缓冲层。开口穿过缓冲层到达通孔。缓冲层具有位于与模塑料和缓冲层之间的界面平行的平面中并且环绕开口周边的波纹。其他实施例实现接合至...

一种半导体结构包括半导体衬底、第一有源区、第二有源区、第一沟槽、至少一个凸起部分以及第一电介质。第一有源区位于半导体衬底中。第二有源区位于半导体衬底中。第一沟槽位于半导体衬底中并将第一有源区和第二有源区彼此分离。凸起部分从半导体衬底凸出...

本发明提供一种FinFET器件，包括：位于衬底上方的第一半导体鳍部；位于衬底上方的第二半导体鳍部，其中，第一半导体鳍部和第二半导体鳍部被第一隔离区分隔开；连接至第一半导体鳍部和第二半导体鳍部的第一漏极/源极区；以及位于第一隔离区下面的第...

本发明的实施例提供了一种接合结构及其形成方法。在接合结构的第一表面上形成导电层，接合结构包括接合至第二衬底的第一衬底，接合结构的第一表面是第一衬底的暴露的表面。在导电层上形成具有第一开口和第二开口的图案化的掩模，第一开口和第二开口暴露导...

本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的栅电极。半导体器件结构也包括邻近栅电极的源极/漏极结构。半导体器件结构还包括位于栅电极的侧壁上方的间隔件元件，并且间隔件元件具有上部和下部，上...

根据一些实施例本发明提供了一种半导体结构。半导体结构包括半导体衬底；以及设置在半导体衬底上的栅极堆叠件；其中，栅极堆叠件包括高k介电材料层以及设置在高k介电材料层上的各个金属层，其中，栅极堆叠件具有凸顶面。本发明实施例涉及用于3D FI...

本发明涉及一种与高电子迁移率晶体管兼容的功率横向场效应整流器(L-FER)器件及其形成方法。在一些实施例中，该整流器器件具有电子供给层，电子供给层设置在半导体材料层上方且位于阳极终端和阴极终端之间。掺杂的III-N半导体材料层设置在电子...