中介层及其制造方法、电子装置和保护装置制造方法及图纸

本公开提供一种中介层及其制造方法、电子装置和保护装置，中阶层包括具有一半导体基底以及电性连接基底通孔电极的一接面金属。该半导体基地包括一主表面及至少局部穿过该半导体基底的一基底通孔电极。接面金属与位于半导体基底的一主表面的一掺杂区接触而构成一肖特基二极管。本公开又提供一种电子装置，其包括上述中介层，也提供使用中介层的一种保护装置，其提供一放电路径通过肖特基二极管至半导体基底，以及提供一种包括半导体基底及肖特基二极管的中介层的制造方法。本公开在所需的工艺步骤最少化下提供额外的功能。

【技术实现步骤摘要】
201510943619

【技术保护点】
一种中介层，包括：一半导体基底，包括一主表面及至少局部穿过该半导体基底的一基底通孔电极；以及一接面金属，电性连接该基底通孔电极；其特征在于，该接面金属与位于该半导体基底的该主表面处的一掺杂区接触而构成一肖特基二极管。

【技术特征摘要】
2014.12.16 EP 14198145.61.一种中介层，包括：
一半导体基底，包括一主表面及至少局部穿过该半导体基底的一基底通孔电极；以及
一接面金属，电性连接该基底通孔电极；
其特征在于，该接面金属与位于该半导体基底的该主表面处的一掺杂区接触而构成一
肖特基二极管。
2.如权利要求1所述的中介层，其特征在于，该掺杂区延伸于该半导体基底的整个该主
表面上方。
3.如权利要求1或2所述的中介层，其特征在于，该基底通孔电极与该掺杂区彼此相邻，
且经由该接面金属而彼此连接，该接面金属形成于该主表面上。
4.如权利要求1或2所述的中介层，其特征在于，该中介层具有一镶嵌金属化层位于该
半导体基底上，该镶嵌金属化层连接至该基底通孔电极及该接面金属。
5.如权利要求4所述的中介层，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：戈尔特·海灵，迪米特里·林腾，李介文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，跨大学校际微电子卓越研究中心，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71