栅格化电路布局数据的系统及方法技术方案

本发明专利技术提供一种将设计形状转换成像素值的方法。该方法可用于控制对工件执行的直写或其他的光刻工艺。在示例性实施例中，该方法包括计算系统接收设计数据库，该设计数据库指定具有四个以上的顶点的部件。计算系统还接收像素栅格。确定对应于部件的一组矩形，并且计算系统基于该组矩形确定与部件重叠的像素栅格的像素的面积。在一些这样的实施例中，基于与部件重叠的面积确定用于像素的光刻曝光强度，并且提供用于图案化工件的光刻曝光强度。本发明专利技术还提供了栅格化电路布局数据的系统及方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及集成电路器件制造，更具体地，涉及将电路布局的多边形栅格化成像素栅格的系统和技术，诸如用于直写光刻工艺的像素栅格。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业已经经历了迅速发展。在IC演进的过程中，功能密度(即，单位芯片面积中互连器件的数量)通常都在增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺创建的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。然而，这种按比例缩小也伴随有设计和制造包括这些IC的器件的复杂程度的增加，而且，为了实现这些优点，在器件设计中需要有相似的发展。仅仅作为一个实例，光刻技术的发展对减小器件尺寸一直很重要。通常，光刻将图案转移到目标上。在被称为光刻的一种类型的光刻中，诸如紫外光的辐射穿过掩模或者在穿透涂覆在目标上的光刻胶之前从掩模反射。光刻将图案从掩模转移到光刻胶上，然后选择地去除光刻胶，以显露图案。然后，目标经受利用剩余的光刻胶的形状，以在目标上创建部件的工艺步骤。被称为直写光刻的另一种类型的光刻使用激光、电子束、离子束或其他窄焦点的辐射(narrow-focusedemission)，以使抗蚀剂涂层曝光或直接图案化材料层。电子束光刻是直写光刻中一种最常用类型的直写光刻，并且通过将校准的电子流引导至要被曝光的区域，该电子束光刻可以用于以令人难以置信的精度去除、添加或改变材料层。然而精确的、窄焦点通常使直写光刻慢于光刻方法。另外地，直写光刻的计算量非常大。例如，将设计转换成用于控制直写发射器的一组强度值的所需要的计算资源非常重要。因此，虽然现存的光刻技术通常是足够的，但是还没有证实其在所有方面完全符合要求。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种通过至少一个计算系统执行的方法，所述方法包括：接收设计数据库，所述设计数据库指定具有四个以上的顶点的部件；接收对应于光刻系统的像素栅格；确定对应于所述部件的一组矩形；以及基于所述一组矩形确定与所述部件重叠的所述像素栅格的像素的面积。在该方法中，与所述部件重叠的所述像素的面积由以下公式确定：A＝[min(Pmaxx，Fmaxx)–max(Pminx，Fminx)]*[min(Pmaxy，Fmaxy)–max(Pminy，Fminy)]其中，A代表与所述一组矩形中的矩形重叠的所述像素的面积，Pmaxx和Pmaxy分别代表所述像素的最大x坐标和最大y坐标，Pminx和Pminy分别代表所述像素的最小x坐标和最小y坐标，Fmaxx和Fmaxy分别代表所述矩形的最大x坐标和最大y坐标，以及Fminx和Fminy分别代表所述矩形的最小x坐标和最小y坐标。该方法还包括：基于与所述部件重叠的面积确定用于所述像素的光刻曝光强度；以及通过所述光刻系统提供所述光刻曝光强度，以用于图案化工件。在该方法中，通过以下等式确定所述光刻曝光强度：I＝λA，其中，I代表所述光刻曝光强度，A代表与所述部件重叠的面积，以及λ代表归一化常数。在该方法中，通过多项式关系由与所述部件重叠的面积来确定所述光刻曝光强度。该方法还包括：在第一方向上识别与所述像素重叠的所述设计数据库的部件的第一子集，其中，基于所述部件的第一子集内的部件确定与所述部件重叠所述像素的面积。该方法还包括：在垂直于所述第一方向的第二方向上识别与所述像素重叠的部件的第二子集，其中，对所述部件的第一子集执行识别，并且还基于所述部件的第二子集内的部件来进一步确定与所述部件重叠的所述像素的面积。该方法还包括：在第一方向上识别与所述部件重叠的所述像素栅格的像素的第一子集，其中，基于所述像素的第一子集内的像素确定与所述部件重叠的所述像素的面积。该方法还包括：在垂直于所述第一方向的第二方向上识别与所述部件重叠的像素的第二子集，其中，对所述像素的第一子集执行识别，并且还基于所述像素的第二子集内的像素进一步确定与所述部件重叠的所述像素的面积。在该方法中，确定对应于所述部件的所述一组矩形包括：选择切割方向；沿着所述部件具有与所述切割方向对齐的顶点的切割方向确定切割值；沿着垂直于所述切割方向延伸并且穿过一个切割值的所述部件的边界确定点；以及基于确定的点来确定所述一组矩形中的矩形。根据本专利技术的另一方面，提供了一种方法，包括：接收设计数据库，所述设计数据库包括要形成在工件上的部件；确定代表所述部件的一组组成矩形；基于所述一组组成矩形来确定图案化所述工件的曝光强度；以及提供用于图案化所述工件的所述曝光强度，其中，使用计算系统执行所述方法。在该方法中，所述曝光强度对应于像素区，并且确定所述曝光强度包括：使用所述一组组成矩形来确定与所述部件重叠的所述像素区的数量；以及基于与所述部件重叠的所述像素区的数量确定所述曝光强度。在该方法中，使用以下公式确定与所述部件重叠的所述像素区的数量：A＝[min(Pmaxx，Fmaxx)–max(Pminx，Fminx)]*[min(Pmaxy，Fmaxy)–max(Pminy，Fminy)]其中，A代表与所述一组组成矩形中的矩形重叠的所述像素区的数量，Pmaxx和Pmaxy分别代表所述像素的最大x坐标和最大y坐标，Pminx和Pminy分别代表所述像素的最小x坐标和最小y坐标，Fmaxx和Fmaxy分别代表所述矩形的最大x坐标和最大y坐标，以及Fminx和Fminy分别代表所述矩形的最小x坐标和最小y坐标。在该方法中，所述曝光强度用于对所述工件执行直写光刻图案化。该方法还包括：识别在第一方向上与所述像素区重叠所述设计数据库的部件的第一子集，其中，基于所述部件的第一子集内的部件来执行确定与所述部件重叠的所述像素区的数量。该方法还包括：确定在所述部件的所述第一子集内的第二子集，使得所述第二子集的部件在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述像素区重叠，其中，还基于所述第二子集内的部件进一步执行确定与所述部件重叠的所述像素的数量。根据本专利技术的又一方面，提供了一种图案化工件的方法，所述方法包括：接收要形成在所述工件上的部件；确定用于图案化所述工件的光刻系统的像素栅格；将所述部件分解成一组组成矩形；使用组成矩形来确定与所述部件重叠的所述像素栅格的像素的数量；基于与所述部件重叠的所述像素的数量确定对应于所述像素的强度；以及根据确定的强度图案化所述工件。在该方法中，使用以下公式确定与所述部件重叠的所述像素的数量：本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过至少一个计算系统执行的方法，所述方法包括：接收设计数据库，所述设计数据库指定具有四个以上的顶点的部件；接收对应于光刻系统的像素栅格；确定对应于所述部件的一组矩形；以及基于所述一组矩形确定与所述部件重叠的所述像素栅格的像素的面积。

【技术特征摘要】
2014.12.19 US 14/576,3881.一种通过至少一个计算系统执行的方法，所述方法包括：
接收设计数据库，所述设计数据库指定具有四个以上的顶点的部件；
接收对应于光刻系统的像素栅格；
确定对应于所述部件的一组矩形；以及
基于所述一组矩形确定与所述部件重叠的所述像素栅格的像素的面
积。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，与所述部件重叠的所述像素的
面积由以下公式确定：
A＝[min(Pmaxx，Fmaxx)–max(Pminx，Fminx)]*[min(Pmaxy，Fmaxy)–max(Pminy，Fminy)]
其中，A代表与所述一组矩形中的矩形重叠的所述像素的面积，Pmaxx和
Pmaxy分别代表所述像素的最大x坐标和最大y坐标，Pminx和Pminy分别代
表所述像素的最小x坐标和最小y坐标，Fmaxx和Fmaxy分别代表所述矩形
的最大x坐标和最大y坐标，以及Fminx和Fminy分别代表所述矩形的最小
x坐标和最小y坐标。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
基于与所述部件重叠的面积确定用于所述像素的光刻曝光强度；以及
通过所述光刻系统提供所述光刻曝光强度，以用于图案化工件。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，通过以下等式确定所述光刻曝
光强度：
I＝λA，
其中，I代表所述光刻曝光强度，A代表与所述部件重叠的面积，以及
λ代表归一化常数。
5.根据权利要求3所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘沛怡，吴政机，陈正宏，林钜馥，王文娟，林世杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71