本发明提供用于集成电路的工艺变化分析的方法及对应的系统。根据器件参数和工艺参数，生成描述集成电路的电子器件的网表。工艺参数包括电子器件单独的局部工艺参数和电子器件共用的全局工艺参数。识别关键电子器件，该关键电子器件包括对集成电路的设计规...

本发明提供了一种半导体器件，半导体器件包括衬底、外延层、第一蚀刻停止层、层间介电(ILD)层、第二蚀刻停止层、保护层、衬垫、硅化物帽和接触插塞。衬底具有第一部分和第二部分。外延层设置在第一部分中。第一蚀刻停止层设置在第二部分上。ILD层...

本发明公开了一种器件参数的确定方法和装置，其中，该方法包括：获取器件的第一类型的参数的第一参数值；从预先配置的对应于器件的模型中获取第一类型的参数的参考值、以及参考值与第二类型的参数的参考值之间的对应关系；根据对应关系、以及第一参数值，...

本发明公开了一种形成用于制造集成电路(IC)的布局设计的方法。该方法包括识别由布局设计的多个栅极结构布局图案的一个或多个片段占据的布局设计中的一个或多个区域；以及生成与识别的一个或多个区域重叠的布局图案组。多个栅极结构布局图案具有预定间...

半导体器件包括：第一鳍部件，嵌入在设置在半导体衬底上方的隔离结构内，第一鳍部件具有第一侧壁和相对的第二侧壁以及从第一侧壁延伸至第二侧壁的顶面。该器件也包括：第二鳍部件，设置在隔离结构上方并且具有第三侧壁和第四侧壁。第三侧壁与第一鳍部件的...

本发明实施例涉及具有耦合元件的集成芯片，耦合元件在硅衬底和硅衬底上面的电介质波导之间耦合具有可见光谱以外的频率的电磁辐射。在一些实施例中，集成芯片具有设置在半导体衬底上面的层间介电(ILD)材料内的电介质波导。第一耦合元件将由设置在半导...

在用于制造半导体器件的蚀刻方法中，首先，提供包括接触区的半导体衬底。然后，在半导体衬底上形成金属氮化物层以防止过蚀刻。此后，在金属氮化物层上形成介电层。然后，实施蚀刻工艺以形成穿通金属氮化物层和介电层的开口以暴露接触区。蚀刻方法还可以包...

本发明提供一种串联晶体管结构，包括：第一源极、第一沟道-漏极结构、第二沟道-漏极结构、栅极介电层、栅极、第一漏极焊盘和第二漏极焊盘。第一源极位于衬底上方。第一沟道-漏极结构位于第一源极上方并且包括第一源极上方的第一沟道和第一漏极。第二沟...

本发明讨论了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例，封装件结构包括集成电路管芯、至少横向密封集成电路管芯的密封剂、位于集成电路管芯和密封剂上的再分布结构、连接至再分布结构的连接件支撑金属以及位于连接件支撑金属上的外部连接件。再...

本文公开了一种半导体元件、在其中增加表面掺杂浓度的方法及形成方法。该半导体元件的形成方法包括：提供一基底；进行一掺杂注入工艺，以在该基底内形成一掺杂区；在进行该掺杂注入工艺之后，对该掺杂区进行一硼掺杂注入；对该硼掺杂注入进行退火；以及在...

本发明提供一种半导体结构，包括：具有中心部分和边缘部分的衬底；位于衬底上方的隔离层；部分地设置在隔离层中且具有顶面和侧壁表面的半导体鳍；设置在衬底的边缘部分处的、覆盖半导体鳍的顶面的一部分和侧壁表面的一部分的第一栅极；以及设置在衬底的中...

本发明的一些实施例提供了用于嵌入式闪存单元的集成电路(IC)。IC包括具有存储单元栅极的闪存单元。硅化物接触衬垫布置在存储单元栅极的凹槽中。硅化物接触衬垫的顶面相对于存储单元栅极的顶面是凹进的。电介质侧壁间隔件沿着凹槽的侧壁从存储单元栅...

本发明公开了一种隔离区域注入和结构，并提供了用于调整晶体管的阈值电压的方法和结构。使用掩模层在衬底内形成用于隔离区域的开口。然后，从开口回撤掩模层，并通过衬底的露出表面和开口的侧壁将掺杂物注入衬底。可以定制该注入以调整具有较小栅极宽度的...

一种器件封装件包括：多个管芯；模塑料，沿着多个管芯的侧壁延伸；和聚合物层，位于模塑料上方并且接触模塑料。模塑料包括非平坦的顶面，并且聚合物层的顶面的总厚度变化(TTV)小于模塑料的非平坦的顶面的TTV。该器件封装件还包括位于聚合物层上的...

本发明的一些实施例提供了用于嵌入式闪存单元的集成电路(IC)。IC包括具有存储单元栅极的闪存单元。硅化物接触焊盘布置在存储单元栅极的凹槽中。硅化物接触焊盘的顶面相对于存储单元栅极的顶面是凹进的。电介质侧壁间隔件沿着凹槽的侧壁从存储单元栅...

根据示例性实施例，提供了半导体封装件。半导体封装件包括：芯片，具有多个连接焊盘；组件，在一侧上具有多个金属盖，并且在另一侧上具有研磨表面，其中，金属盖与芯片的连接焊盘接触。本发明的实施例还提供了半导体封装件的形成方法。

根据一些实施例，本发明提供了一种形成场效应晶体管(FET)的方法。该方法包括对半导体衬底实施蚀刻工艺，从而在半导体衬底的源极和漏极(S/D)区域中形成凹槽；在凹槽中形成第一半导体的钝化材料层；以及外延生长第二半导体材料，从而在凹槽中形成...

本发明提供了一种图案化衬底的方法。该方法包括图案化形成在衬底上方的光刻胶层以生成光刻胶图案，以及利用离子束来处理该光刻胶图案。离子束由诸如CH4、SiH4、Ar或He的气体生成，并且该离子束以至少10°的倾斜角度被引导至光刻胶图案。在实...

本申请公开了一种及封装组件，该集成电路装置包括：一半导体基板；一第一凸块底金属层，形成于该半导体基板之上；一第二凸块底金属层，形成于该第一凸块底金属层之上，具有一侧面；一导电柱，形成于该第二凸块底金属层之上，具有一侧面与一顶面；以及一保...

本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。该方法包括在衬底中形成源极/漏极结构以及在源极/漏极结构上方形成金属层。用于制造半导体结构的方法还包括实施退火工艺，从而使得部分金属层与源极/漏极结构反应，以在源极/漏极结构上形成金属化层。...