具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法技术

本发明专利技术提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的栅电极。半导体器件结构也包括邻近栅电极的源极/漏极结构。半导体器件结构还包括位于栅电极的侧壁上方的间隔件元件，并且间隔件元件具有上部和下部，上部具有第一外表面，下部具有第二外表面。第一外表面和栅电极的侧壁之间的横向距离基本上相同。第二外表面和栅电极的侧壁之间的横向距离沿着从下部的顶部朝着半导体衬底的方向增大。本发明专利技术的实施例还涉及具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法。

【技术实现步骤摘要】
优先权声明和交叉引用本申请要求2014年12月24日提交的美国临时申请第62/096,745号的权益，其全部内容结合于此作为参考。
本专利技术的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC。每一代IC都具有比前一代更小和更复杂的电路。在IC演化的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常已经增大，而几何尺寸(即，使用制造工艺可以产生的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提供生产效率和降低相关成本来提供益处。然而，这些进步也已经增大了处理和制造IC的复杂度。由于部件尺寸不断减小，制造工艺不断地变得更加难以实施。因此，形成尺寸越来越小的可靠的半导体器件是一个挑战。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体器件结构，包括：半导体衬底；栅电极，位于所述半导体衬底上方；源极/漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件结构，包括：半导体衬底；栅电极，位于所述半导体衬底上方；源极/漏极结构，邻近所述栅电极；以及间隔件元件，位于所述栅电极的侧壁上方，其中：所述间隔件元件具有上部和下部，所述上部具有第一外表面，所述下部具有第二外表面，所述第一外表面和所述栅电极的侧壁之间的横向距离基本上相同，和所述第二外表面和所述栅电极的侧壁之间的横向距离沿着从所述下部的顶部朝着所述半导体衬底的方向增大。

【技术特征摘要】
2014.12.24 US 62/096,745;2015.07.16 US 14/801,4471.一种半导体器件结构，包括：
半导体衬底；
栅电极，位于所述半导体衬底上方；
源极/漏极结构，邻近所述栅电极；以及
间隔件元件，位于所述栅电极的侧壁上方，其中：
所述间隔件元件具有上部和下部，所述上部具有第一外表面，所述下
部具有第二外表面，
所述第一外表面和所述栅电极的侧壁之间的横向距离基本上相同，和
所述第二外表面和所述栅电极的侧壁之间的横向距离沿着从所述下部
的顶部朝着所述半导体衬底的方向增大。
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述第二外表面和
所述栅电极的侧壁之间的一个横向距离与所述第一外表面和所述栅电极的
侧壁之间的横向距离的比率在从约1.2至约2的范围内。
3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述第二外表面包
括弯曲表面。
4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述第二外表面的
所述弯曲表面向内弯曲。
5.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨柏峰，张哲诚，林木沧，程潼文，张哲豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71