薄膜存储器技术的L形电容器制造技术

本发明专利技术涉及一种非平面的FEOL(前道工序)电容器和一种相关的制造方法，该非平面的FEOL电容器包括设置在电极间的电荷捕获介电层。在一些实施例中，非平面的FEOL电容器具有设置在衬底上方的第一电极。电荷捕获介电层在衬底上设置在邻近第一电极的位置处。电荷捕获介电层具有“L”形，具有在第一方向上延伸的横向部分和在第二方向上延伸的垂直部分。第二电极布置在横向部分上，并通过垂直部分与第一电极间隔开。本发明专利技术还提供了薄膜存储器技术的L形电容器。

【技术实现步骤摘要】
201510770830

【技术保护点】
一种集成电容器，包括：第一电极，设置在衬底上方；电荷捕获介电层，在所述衬底上设置在邻近所述第一电极的位置处，其中，所述电荷捕获介电层包括“L”形或“U”形，并且具有在第一方向上延伸的横向部分和在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的垂直部分；以及第二电极，布置在所述横向部分上，并通过所述垂直部分与所述第一电极间隔开。

【技术特征摘要】
2015.02.06 US 62/112,701;2015.03.12 US 14/645,9931.一种集成电容器，包括：第一电极，设置在衬底上方；电荷捕获介电层，在所述衬底上设置在邻近所述第一电极的位置处，其中，所述电荷捕获介电层包括“L”形或“U”形，并且具有在第一方向上延伸的横向部分和在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的垂直部分；以及第二电极，布置在所述横向部分上，并通过所述垂直部分与所述第一电极间隔开。2.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述电荷捕获介电层包括：第一介电层，设置在所述衬底上方；多个量子点，设置在所述第一介电层上方；以及第二介电层，设置在所述第一介电层和所述多个量子点上方。3.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述第一电极耦合至接地端或可变电压值，并且所述第二电极耦合至可变电压值或接地端。4.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述第一电极和所述第二电极位于集成芯片的外围区域中，所述集成芯片的外围区域围绕包括多个存储单元的嵌入式存储区域。5.根据权利要求4所述的电容器，其中，所述第一电极和所述第二电极设置在具有第一掺杂类型的第一阱区上方；以及所述嵌入式存储区域设置在第二阱区上方，所述第二阱区具有所述第一掺杂类型或者第二掺杂类型。6.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述第一电极和所述第二电极在所述衬底上方设置在通过边...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄学理，吴伟成，张健宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71