本发明提供了IC方法的一个实施例。首先接收IC设计布局的多个模板的图案密度(PD)。然后从多个模板中识别高PD离群值模板和低PD离群值模板。将高PD离群值模板分离为模板的多个子集，并且模板的每个子集携带高PD离群值模板的PD的部分。对低...

一些实施例涉及电阻式随机存取存储器(RRAM)。该RRAM包括RRAM底部金属电极、布置在RRAM底部金属电极上方的可变电阻介电层以及布置在可变电阻介电层上方的RRAM顶部金属电极。覆盖层布置在RRAM顶部金属电极上方。覆盖层的下表面和...

集成电路结构包括：第一层层间电介质(ILD)、位于第一ILD中的栅极堆叠件、位于第一ILD上方的第二ILD、位于第二ILD中的接触插塞、以及位于接触插塞的相对两侧上并且与接触插塞相接触的介电保护层。接触插塞和介电保护层位于第二ILD中。...

本发明提供一种3DIC互连器件及其形成方法。提供了堆叠半导体器件和该堆叠半导体器件的形成方法。将多种集成电路相互接合，以形成堆叠半导体器件。在将附加的集成电路接合至先前的接合步骤中所形成的堆叠半导体器件的每一个接合步骤之后，形成多个导电...

本发明提供了用于气密密封的薄膜结构。本发明涉及具有气密密封结构的MEMS器件以及相关的方法。在一些实施例中，第一管芯和第二管芯在接合界面区处接合以形成腔室。共形薄膜结构设置为覆盖接合界面区的外侧壁以提供气密密封。在一些实施例中，共形薄膜...

本发明提供了一种互连器件和形成互连器件的方法。两个集成电路接合在一起。形成穿过衬底中的一个的第一开口。沿着第一开口的侧壁形成一个或多个介电膜。在使用一些焊盘作为硬掩模的同时，形成从第一开口延伸至集成电路中的焊盘的第二开口。用导电材料填充...

一种结型栅场效应晶体管(JFET)包括：衬底；源极区，形成在衬底中；漏极区，形成在衬底中；沟道区，形成在衬底中；以及至少一个栅极区，形成在衬底中。沟道区将源极区与漏极区连接。至少一个栅极区在界面处接触源极区和漏极区中的一个，并且至少一个...

本发明提供一种用于极紫外线光刻(EUVL)工艺的方法。方法包括：将二元相位掩模(BPM)加载至光刻系统，其中BPM包括两种相位状态并且限定在其上的集成电路(IC)图案；根据IC图案将光刻系统的照射装置设定为照射模式；根据照射模式将光瞳滤...

公开一种形成半导体器件的方法。该方法包括，在第一温度时将栅极结构的伪氧化物层暴露于包括NH3和含氟化合物的蒸汽混合物中，其中伪氧化物层在衬底上方形成并且被包括与伪氧化物层的材料不同的材料的栅极间隔件包围。该方法进一步包括，在第二温度时用...

本发明提供了一种半导体器件中的铜互连结构及其形成方法，铜互连结构包括具有侧壁和表面的介电层，侧壁和表面限定介电层中的开口。铜互连结构还包括沉积在介电层的限定开口的侧壁和表面上的阻挡层。铜互连结构进一步包括沉积在阻挡层上的阻挡/种子混合层...

本发明提供了一种互连结构和方法。一种器件，包括：第一导电线，位于介电层上方的第一金属层中，其中，第一导电线在三个侧面被第一聚合物层包裹，并且第一导电线和介电层通过第一聚合物层的底部隔离；第二导电线，位于介电层上方，其中，第二导电线在三个...

本发明提供了一种半导体器件及形成方法。半导体器件包括围绕介电管的沟道和围绕沟道的栅极。介电管包括具有或传导很少甚至没有载流子(诸如，电子或空穴)的高介电常数材料。介电管的存在将载流子限制在非常接近于栅极的沟道内。沟道及其内的载流子接近于...

根据示例性实施例，本发明提供了形成具有至少两个阻挡层的垂直结构的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；在衬底上方提供垂直结构；在垂直结构的源极、沟道、和漏极上方提供第一阻挡层；以及在垂直结构的栅极和漏极上方提供第二阻挡层。

本发明涉及一种半导体器件，包括衬底、第一源极/漏极(S/D)、第二S/D和半导体板单元。衬底在基本水平方向上延伸。第一S/D形成于衬底上。第二S/D设置在第一S/D之上。半导体板单元在基本垂直方向上延伸并且使第一S/D与第二S/D互连。...

一种用于物理汽相沉积(PVD)系统的阴极组件包括：靶标架和厚度检测器。靶标架用于保持靶标，其中，靶标具有第一主表面和第二主表面。第一主表面和第二主表面分别位于靶标架的近端和远端。厚度检测器设置在靶标架上。第一主表面的至少一部分暴露于厚度...

本发明提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：设置在衬底上方的栅极结构，其中，栅极结构包括：高k介电层和功函结构。高k介电层包括基部和侧部，侧部从基部的端部延伸，侧部基本上垂直于基部。功函结构包括：设置在高k介电层上方的第一金属；和设置...

本发明提供了半导体器件，该半导体器件包括设置在衬底上方的栅极堆叠件和至少部分地嵌入在邻近栅极堆叠件的衬底内的源极/漏极(S/D)部件。S/D部件包括：第一半导体材料层和设置在第一半导体材料层上方的第二半导体材料层。第二半导体材料层不同于...

本发明提供了一种半导体结构，该结构包括：一个或多个鳍，形成在衬底上，并沿第一方向延伸；一个或多个栅极，形成在一个或多个鳍上，并沿第二方向延伸，第二方向基本垂直于第一方向，一个或多个栅极包括第一隔离栅极和至少一个功能栅极；源极/漏极部件，...

一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法包括在衬底上方形成第一鳍结构，在第一鳍结构上方形成介电层，在介电层内形成具有垂直轮廓的沟槽，在沟槽的侧壁和底部上方共形地沉积第一半导体材料层，在第一半导体材料层上方沉积第二半导体材料...

本发明提供了在具有类ONO结构的背照式图像传感器中形成隐埋式滤色器。一种半导体图像传感器件包括衬底，衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。互连结构设置在衬底的第一侧上方。多个辐射感测区域位于衬底中。辐射感测区域被配置为感测从第二侧进入衬...