相变化存储器单元的形成方法技术

公开了一种相变化存储器单元的形成方法，包括：在具有第一介电层、第二介电层及第三介电层的第一结构上形成冠状结构；沉积第四介电层在第一结构上，第四介电层在其所覆盖的不同区域皆具有相同的厚度；移除第四介电层的一部分以形成具有第四介电层的剩余部分的第一间隙物；移除第四介电层的该部分时也移除第三介电层的一部分而形成具有第三介电层的剩余部分的第二间隙物，因而形成第二结构；在第二结构上沉积相变化层；在相变化层上沉积电极层；以及形成具有该相变化层的剩余部分的一相变化区，以及形成具有该电极层的剩余部分的一电极区。本申请的方法可以降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】本申请是申请号为201110092410.X、申请日为2011年4月11日、专利技术名称为“相变化存储器单元及其形成方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种相变化存储器单元，尤其涉及一种具有冠状结构的相变化存储器单元。
技术介绍
相变化存储器(phase change memory ;PCM)为一种非易失性存储器，其中相变化材料的功能区的状态在结晶态(crystalline)及非晶态(amorphous)间转换，例如借由产生热能的电流来转换。而利用功能区的状态来表现存储的数据。例如，在热激发(heatexcitat1n)后，若功能区在结晶态，所存储的数据是在低逻辑电平(例如，“低信号”)。然而，若功能区为非晶态，所存储的数据为高逻辑电平(例如，“高信号”)。相变化存储器也称为相随机存取存储器(phase random access memory ;PRAM)、相变化随机存取存储器(phase change random access memory ;PCRAM)、双向通用存储器(ovonic unifiedmemory)、硫族随机存取存储器(chalc本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变化存储器单元的形成方法，包括：在具有一第一介电层、一第二介电层、及一第三介电层的一第一结构上形成穿过该第三介电层及该第二介电层的一冠状结构；沉积一第四介电层在该第一结构上，使得该第四介电层覆盖该第三介电层的表面、该冠状结构的侧壁以及表面，其中该第四介电层在该第四介电层所覆盖的不同区域皆具有相同的厚度；移除该第四介电层的一部分，以形成具有该第四介电层的剩余部分的一第一间隙物；移除该第四介电层的该部分时也移除该第三介电层的一部分，而形成具有该第三介电层的剩余部分的一第二间隙物，因而形成一第二结构；在该第二结构上沉积一相变化层；在该相变化层上沉积一电极层；以及利用一化学机械研磨工艺移除部分的...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：沈明辉，曹淳凯，刘世昌，蔡嘉雄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71