在金属栅极线端中具有T形的器件和制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术公开了在半导体器件中制造金属栅极结构的方法。该方法包括：去除伪多晶硅栅极，使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以在半导体器件中形成T形空隙，以及在T形空隙中沉积金属栅极材料以在金属栅极线端中形成T形结构。本发明专利技术公开了由包括伪多晶硅栅极的去除的工艺制造的半导体器件。该半导体器件包括OD鳍以及在OD鳍的部分之上制造并且邻近OD鳍的侧部的金属栅极。金属栅极在金属栅极线端中具有T形结构。通过使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以形成T形空隙来形成T形结构。本发明专利技术还涉及在金属栅极线端中具有T形的器件和制造半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利文件中描述的技术涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，更具体地，涉及具有使用替换栅极工艺形成的栅极结构的MOSFET器件以及制造这样的器件的方法。
技术介绍
在过去的几十年间，诸如MOSFET的半导体器件的缩放已经使集成电路的速度、性能、密度和每单位功能的成本能够不断地改进。用于产生金属栅极的工艺的改进可以进一步缩放集成电路。可以在块状半导体衬底(平面器件)或在绝缘体上硅(SOI)类型的结构上制造MOSFETo例如，在替换栅极工艺中，可以由多晶硅(poly)形成伪栅极结构。在开始或继续源极-漏极(S/D)处理之后，伪栅极结构被去除并且由导电的含金属栅极堆叠件替换，含金属栅极堆叠件位于块状半导体衬底或SOI结构的硅层中的S/D之间的沟道区上面。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种在半导体器件中制造金属栅极结构的方法，所述方法包括:去除伪多晶硅栅极；使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除层间(IL)氧化物和浅沟槽隔离(STI)以在所述半导体器件中形成T形空隙；在所述T形空隙中沉积金属栅极材料以在金属栅极线端中形成T形结构。在上述方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在半导体器件中制造金属栅极结构的方法，所述方法包括：去除伪多晶硅栅极；使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除层间(IL)氧化物和浅沟槽隔离(STI)以在所述半导体器件中形成T形空隙；在所述T形空隙中沉积金属栅极材料以在金属栅极线端中形成T形结构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林健智，叶建宏，沈冠杰，张嘉德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71