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本发明公开了在半导体器件中制造金属栅极结构的方法。该方法包括：去除伪多晶硅栅极，使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以在半导体器件中形成T形空隙，以及在T形空隙中沉积金属栅极材料以在金属栅极线端中形成T形结构。本发明公开了由...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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