用于存储器件的结构、器件和方法技术

本发明专利技术提供了用于制造存储器件的各种结构、各个器件和各种方法。一种结构包括：设置在第一导电层中的第一导线；设置在第一导电层中并且与设置在第二导电层中的第二导线相关的第一着陆台；以及设置在第一导电层中并且与设置在第三导电层中的第三导线相关的第二着陆台。第二导电层和第三导电层与第一导电层不同。

【技术实现步骤摘要】
优先权要求和交叉引用本专利技术要求于2014年5月5日提交的美国临时专利申请第61/988,339号的优先权和权益，其全部内容结合于此作为参考。
本专利技术中描述的技术总体涉及半导体器件，更具体地，涉及半导体器件的制造。
技术介绍
静态随机存取存储器(SRAM)器件用于需要速度高、功耗低和操作简单的各种应用中。SRAM器件通常包括多个存储单元，并且每个单元都可以包含多个部件，诸如晶体管、晶体管的有源区、导线(例如，字线、位线)、层间连接结构(例如，通孔)和接触件。SRAM单元通常包含一对布置为用于存储数据的锁存单元的反相器。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于制造存储器件的结构，该结构包括：第一导线，设置在第一导电层中；第一着陆台，设置在第一导电层中并且与设置在第二导电层中的第二导线相关；以及第二着陆台，设置在第一导电层中并且与设置在第三导电层中的第三导线相关；其中，第二导电层和第三导电层与第一导电层不同。优选地，存储器件对应于静态随机存取存储器(SRAM)器件；第一导线对应于SRAM器件的写入字线；第二导线对应于SRAM器件的第一读取字线；以及第三导线对应于SRAM器件的第二读取字线。优选地，第一导电层与相对于衬底的第一高度相关；第二导电层与相对于衬底的第二高度相关；以及第二高度大于第一高度。优选地，第一导电层与相对于衬底的第一高度相关；第三导电层与相对于衬底的第二高度相关；以及第二高度大于第一高度。优选地，第一导线沿着第一方向延伸；第一着陆台沿着第一方向延伸；以及第二着陆台沿着第一方向延伸。优选地，第一着陆台通过第一层间连接结构连接至设置在第二导电层中的第二导线。优选地，第二着陆台通过第二层间连接结构连接至第二导电层中的第三着陆台；以及第三着陆台通过第三层间连接结构连接至设置在第三导电层中的第三导线。优选地，第二着陆台通过第二层间连接结构连接至第二导电层中的第三着陆台；第三着陆台通过第三层间连接结构连接至第四导电层中的第四着陆台；以及第四着陆台通过第四层间连接结构连接至第三导电层中的第三导线。优选地，第一着陆台和第二着陆台设置在第一导线的相同侧上。优选地，第一着陆台和第二着陆台沿着相同的导电轨迹设置。根据本专利技术的另一方面，提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)器件，包括：第一字线，设置在第一导电层中；第二字线，设置在第二导电层中并且与设置在第一导电层中的第一着陆台相关；以及第三字线，设置在第三导电层中并且与设置在第一导电层中第二着陆台相关；其中，第二导电层和第三导电层与第一导电层不同。优选地，第一字线对应于写入字线；第二字线对应于第一读取字线；以及第三字线对应于第二读取字线。优选地，第一导电层与相对于衬底的第一高度相关；第二导电层与相对于衬底的第二高度相关；以及第二高度大于第一高度。优选地，第一导电层与相对于衬底的第一高度相关；第三导电层与相对于衬底的第二高度相关；以及第二高度大于第一高度。优选地，第一字线沿着第一方向延伸；第一着陆台沿着第一方向延伸；以及第二着陆台沿着第一方向延伸。优选地，第一着陆台通过第一层间连接结构连接至设置在第二导电层中的第二字线。优选地，第二着陆台通过第二层间连接结构连接至第二导电层中的第三着陆台；以及第三着陆台通过第三层间连接结构连接至设置在第三导电层中的第三字线。优选地，第二着陆台通过第二层间连接结构连接至第二导电层中的第三着陆台；第三着陆台通过第三层间连接结构连接至第四导电层中的第四着陆台；以及第四着陆台通过第四层间连接结构连接至第三导电层中的第三字线。优选地，第一着陆台和第二着陆台设置在第一字线的相同侧上根据本专利技术的又一方面，提供了一种制造存储器件的方法，该方法包括：在第一导电层中形成第一导线、第一着陆台和第二着陆台；形成一个或多个第一层间连接结构以将第一着陆台连接至第二导电层中的第二导线；以及形成一个或多个第二层间连接结构以将第二着陆台连接至第三导电层中的第三导线；其中，第二导电层和第三导电层与第一导电层不同。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1示出了根据一些实施例的十晶体管(10-T)SRAM单元的示例图。图2示出了根据一些实施例的如图1中所示的SRAM单元的示例前段制程(FEOL)布局图。图3(A)和图3(B)示出了根据一些实施例的与如图1所示的SRAM单元相关的示例后段制程(BEOL)布局图。图4(A)和图4(B)示出了根据一些实施例的与如图1所示的SRAM单元相关的另一示例后段制程(BEOL)布局图。图5(A)和图5(B)示出了根据一些实施例的示出与如图4(B)所示的布局图相关的截面图的示例图。图6(A)和图6(B)示出了根据一些实施例的与如图4(A)和图4(B)所示的布局图相关的示例后段制程(BEOL)布局图。图7(A)和图7(B)示出了根据一些实施例的与如图4(A)和图4(B)所示的布局图相关的另一示例后段制程(BEOL)布局图。图8(A)和图8(B)示出了根据一些实施例的与如图4(A)和图4(B)所示的布局图相关的另一示例后段制程(BEOL)布局图。图9示出了根据一些实施例的用于制造存储器件的示例流程图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了部件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在本文中可以使用诸如“在…上”、“在…中”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文中使用的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造存储器件的结构，所述结构包括：第一导线，设置在第一导电层中；第一着陆台，设置在所述第一导电层中并且与设置在第二导电层中的第二导线相关；以及第二着陆台，设置在所述第一导电层中并且与设置在第三导电层中的第三导线相关；其中，所述第二导电层和所述第三导电层与所述第一导电层不同。

【技术特征摘要】
2014.05.05 US 61/988,339;2014.07.18 US 14/334,7531.一种用于制造存储器件的结构，所述结构包括：
第一导线，设置在第一导电层中；
第一着陆台，设置在所述第一导电层中并且与设置在第二导电层中的
第二导线相关；以及
第二着陆台，设置在所述第一导电层中并且与设置在第三导电层中的
第三导线相关；
其中，所述第二导电层和所述第三导电层与所述第一导电层不同。
2.根据权利要求1所述的结构，其中：
所述存储器件对应于静态随机存取存储器(SRAM)器件；
所述第一导线对应于所述SRAM器件的写入字线；
所述第二导线对应于所述SRAM器件的第一读取字线；以及
所述第三导线对应于所述SRAM器件的第二读取字线。
3.根据权利要求1所述的结构，其中：
所述第一导电层与相对于衬底的第一高度相关；
所述第二导电层与相对于所述衬底的第二高度相关；以及
所述第二高度大于所述第一高度。
4.根据权利要求1所述的结构，其中：
所述第一导电层与相对于衬底的第一高度相关；
所述第三导电层与相对于所述衬底的第二高度相关；以及
所述第二高度大于所述第一高度。
5.根据权利要求1所述的结构，其中：
所述第一导线沿着第一方向延伸；
所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张峰铭，洪连嵘，黄怀莹，王屏薇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71