【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及制造半导体器件的方法和装置。
技术介绍
1、由于各种电子元件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成度的提高是由于最小特征尺寸的迭代减小，这使更多的元件能够集成到给定的区域中。
2、虽然一些集成器件制造商(idm)自己设计和制造集成电路(ic)，但无晶圆厂半导体公司将半导体制造外包给半导体制造厂或代工厂。半导体制造包括一系列工艺，其中通过在衬底上施加一系列层来制造器件结构。这涉及到沉积和去除各种薄膜层。要沉积或去除的薄膜区域通过光刻法来控制。每个沉积和去除工艺之后通常都要进行清洁以及检查步骤。因此，idm和代工厂都依赖于许多半导体设备和半导体制造材料，这些设备和材料通常由供应商提供。总是需要定制或改进那些半导体设备和半导体制造材料，这导致了更大的灵活性、可靠性和成本效益。
技术实现思路
1、根据本专利技术的一个实施例，提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：将靶体...
【技术保护点】
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一补偿函数(Z1)表示为：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二补偿函数(Z2)表示为：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：
6.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一值不同于所述第二值。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一补偿函数(Z1)表示为：
9.一种用于制造半导体器件的装置，包括：
10....
【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一补偿函数(z1)表示为：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二补偿函数(z2)表示为：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：
6.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：王嘉熙，陈彦羽，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。