本发明公开了一种电子设计的实现方法和装置，其中，该方法包括：确定设计布局中当前所选定的层；根据当前所选定的层，查找与该层所对应的显示参数和工艺参数；提取查找到的所述显示参数和所述工艺参数。本发明通过在设计人员每选定一个层的情况下，都将该...

本发明提供了FET结构。在一些实施例中，FET结构包括：异质结构和栅极结构。异质结构包括：第一部分、阻挡部分和第二部分，从而使得第一部分的一部分、阻挡部分和第二部分的一部分形成沟道区，并且第一部分和第二部分中位于沟道区相对两侧的部分分别...

本发明提供了多级数模转换器。一种电路，该电路包括第一数字滤波器H(z)、第二数字滤波器1/(1+H(z))、第三数字滤波器、第一数字调制器、第二数字调制器和增益模块。第一数字滤波器基于数字输入和第一数字输出信号生成第一输出。第一数字调制...

本发明提供了一种形成MOSFET结构的方法。在该方法中，形成外延层。在外延层之上形成覆盖层。在外延层之上形成第一沟槽。在第一沟槽内沉积保护层。保护层的材料选自由锗和硅锗组成的组。

提供了一种半导体器件。该半导体器件包括设置在源极区域和漏极区域之间的沟道区域、位于沟道区域上方的栅极结构、邻近栅极结构的层间介电(ILD)层以及邻近栅极结构的顶部且位于ILD上方的ILD应力层。栅极结构包括第一侧壁、第二侧壁和顶部。还提...

本发明提供了在FinFET上形成沟槽的方法及由此产生的FinFET。提供了一种在FinFET上形成沟槽的方法。在示例性实施例中，第一层间介电层以插入的方式在FinFET的第一栅极和第二栅极之间形成。第二层间介电层在第一层间介电层、Fin...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括第一半导体芯片和接合到第一半导体芯片的第二半导体芯片，第一半导体芯片包括第一衬底和形成在第一衬底上方的第一导电部件。第二半导体芯片包括第二衬底和形成在第二衬底上方的第...

本发明公开了互连结构和形成互连结构的方法。互连结构包括位于衬底上方的低k(LK)介电层；位于LK介电层中的第一导电部件和第二导电部件；沿着第一导电部件的第一侧壁的第一间隔件；沿着第二导电部件的第二侧壁的第二间隔件，其中，第二导电部件的第...

本发明提供了三维集成电路及其制造方法。本发明提供了一种标准三维集成电路单元装置，包括第一叠层和第二叠层。第二叠层位于第一叠层之上。第一叠层包括第一单元。第二叠层包括第二单元和第三单元。第三单元包括第一ILV以将第一叠层中的第一单元连接至...

本发明提供了用于制造集成电路的工艺。该工艺包括：提供衬底，通过原子层沉积和分子层沉积的一种沉积在衬底上形成硬掩模，以及将硬掩模暴露于来自一种或多种带电粒子束的带电粒子以在硬掩模中图案化间隙。可选地，该工艺包括将硬掩模暴露于来自一种或多种...

本发明提供半导体元件及其形成方法。一种半导体元件，包括一基底、一金属间介电层覆盖于该基底上、以及一含氮四乙氧基硅烷氧化层或一富含氧四乙氧基硅烷氧化层覆盖于该金属间介电层上。在该富含氧四乙氧基硅烷氧化层中氧的分子比率大于70百分比。该金属...

提供了一种可使用1.5V至5.5V的电源电压的电源工作的多次可编程(MTP)结构。当电源电压高于第一电压时，第一电路配置成在第二晶体管的漏极处生成第二恒定电压，并且在第三电路中端子上生成第二恒定电压。在一些实施例中，第三电路提供第三晶体...

本发明提供了一种或多种具有堆叠结构和静电放电(ESD)保护的半导体布置。半导体布置包括第一衬底、第二衬底、ESD焊盘、ESD器件及连接第一衬底和第二衬底的第一层间通孔。第一衬底包括第一PMOS器件和第一器件，而第二衬底包括第一NMOS器...

本发明的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。该半导体器件结构包括位于衬底上方的金属栅极。第一间隔件形成在金属栅极的侧壁上方并且具有第一高度。第二间隔件形成在金属栅极的侧壁上方并且具有第二高度。第一高度高于第二高度。第一间隔件比第二间...

在一些实施例中，场效应晶体管(FET)结构包括主体结构、介电结构、栅极结构和源极或漏极区。在主体结构上方形成栅极结构。源极或漏极区嵌入在主体结构中并位于栅极结构旁边，并且邻接介电结构且延伸超出介电结构。源极或漏极区包括与主体结构的晶格常...

在一些实施例中，在一种方法中，提供其上配置有栅极结构的体结构。栅极结构包括横穿体结构的栅极侧壁。在栅极侧壁上方形成间隔件。在体结构中形成第一凹槽。第一凹槽形成在间隔件旁边并且在间隔件下面横向延伸。在第一凹槽下面形成凹槽延伸部，以延伸第一...

本发明提供了一种具有熔丝保护件的电容器。实施例是电路。该电路包括有源电路、第一电容器、第一熔丝、第二电容器和第二熔丝。有源电路具有第一电源节点和第二电源节点。第一电容器串联连接至第一熔丝以形成第一部分。第二电容器串联连接至第二熔丝以形成...

本发明提供了半导体器件结构的实施例及其制造方法。半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上方的第一层。半导体器件结构还包括形成在第一层中的应力降低结构，并且应力降低结构围绕第一层的一部分。半导体器件结构还包括形成在由应力降低结构围绕的第一层的...

本发明描述了使用浸没撕带的实施例。提供了衬底，该衬底具有附接至其上的衬底胶带。该衬底包括附接至衬底胶带的导电连接件。在衬底和衬底胶带之间提供液体。当液体位于衬底和衬底胶带之间时，从衬底去除衬底胶带。另一实施例是一种装置，该装置包括浸没槽...

本发明提供了使用微波辐射使半导体结构退火的系统和方法。提供了半导体结构。提供了能够增强半导体结构对微波辐射的吸收的一种或多种能量转换材料。将微波辐射应用于能量转换材料和半导体结构以使用于制造半导体器件的半导体结构退火。检测与半导体结构的...