本发明提供了金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构以及形成MIM电容器结构的方法。MIM电容器结构包括衬底和形成在衬底上的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。MIM电容器包括电容器顶部金属(CTM)层、电容器底部金属(CBM)层和形成在...

一种对晶圆进行图案化的方法包括：对晶圆执行第一图案化；以及在执行第一图案化之后，计算模拟剂量分布（DoMa）图，其预测晶圆的临界尺寸由于对晶圆执行第二图案化而产生的变化。该方法还包括对晶圆执行第二图案化。执行第二图案化包括根据模拟DoM...

本发明提供了具有金属栅极的半导体结构及其制造方法。用于制造金属栅极结构的方法，包括：在栅极沟槽中形成高k介电层；在高k介电层上方形成蚀刻停止层；通过经由原子层沉积（ALD）操作形成具有晶界工程层、掺杂层以及覆盖层的顺序的三层，在蚀刻停止...

本发明提供了一种方法，包括将微电子器件附接至衬底表面，其中，间隔介于邻近的两个微电子器件之间。每个微电子器件均具有基本上平行于衬底表面的最外表面。将衬底封闭在传递模塑装置的传递模塑腔中，使得传递模塑腔的内表面与微电子器件的每个最外表面的...

本发明公开了图像传感器器件及其制造方法以及半导体器件制造方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括将第一半导体晶圆接合至第二半导体晶圆，第一半导体晶圆包括衬底和连接至衬底的互连结构。该方法包括从第一半导体晶圆去除衬底的部分以暴露互连...

一种形成目标图案的方法包括利用第一掩模在衬底上方形成多条线并且在衬底上方、多条线上方和多条线的侧壁上形成第一间隔件层。多条线被去除，从而在衬底上方提供图案化的第一间隔件层。该方法还包括在衬底上方、图案化的第一间隔件层上方和图案化的第一间...

本发明提供了一种用于保护电路免受静电放电(ESD)电压影响的系统。输入端子接收输入信号。ESD保护电路从输入端子接收输入信号。ESD保护电路包括一个或多个垂直纳米线场效应晶体管(FET)。一个或多个垂直纳米线FET的每个都包括具有第一导...

本发明提供了一种用于形成集成电路(IC)结构的方法。该方法包括提供包括导电部件的衬底；在导电部件上形成含铝(Al)介电层；在含Al介电层上形成低k介电层；以及蚀刻低k介电层以形成与导电部件对准的接触沟槽。接触沟槽的底部位于含Al介电层的...

本发明涉及交错地形成镍硅和镍锗结构。本发明提供了用于在单个半导体衬底上产生半导体器件的系统和方法。产生的单个半导体衬底包括硅材料部分和锗材料部分。由第一金属在硅材料部分上形成第一组源极/漏极接触件。在第一温度下使用硅材料部分对第一组源极...

本发明提供了一种用于封装半导体器件的方法和结构。在实施例中，将第一衬底接合至第二衬底，将第二衬底接合至第三衬底。在应用底部填充材料之前将热界面材料放置在第二衬底上。可以将环形件放置在热界面材料上，以及在第二衬底和第三衬底之间分配底部填充...

本发明提供了一种半导体器件的鳍结构。本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。示例性FinFET包括具有主要表面的衬底和从主要表面突出的鳍结构。鳍结构包括：上部，上部包括具有第一晶格常数的第一半导体材料，其中，上部包括具有第一宽度...

本发明的实施例是一种结构，该结构包括封装件、衬底和将封装件机械连接并电连接至衬底的外部电连接件。封装件包含管芯。外部电连接件位于封装件和衬底之间。底部填充材料围绕封装件的外围区域并且位于外围区域和衬底之间。间隙位于封装件的中心区域和衬底...

本发明公开了在存储器MUX1布局中具有多层引脚的器件。一种集成电路（IC）存储器件，包括：第一导电层；电连接至第一导电层的第二导电层，第二导电层形成在第一导电层上方；与第二导电层间隔开的第三导电层，第三导电层形成在第二导电层上方；电连接...

一种集成电路布局包括第一金属线、第二金属线、至少一个第一导电通孔和第一导电部分。第一金属线沿着第一方向形成。至少一个第一导电通孔设置在第一金属线上方。第二金属线设置在至少一个第一导电通孔上方且与第一金属线平行。第一导电部分形成在第二金属...

本发明提供了具有降低热串扰的热管理部件的封装件及其形成方法。示例性封装件包括：位于封装部件的表面上的第一管芯堆叠件、位于封装部件的表面上的第二管芯堆叠件、以及位于第一管芯堆叠件和第二管芯堆叠件上方的轮廓盖。轮廓盖包括位于第一管芯堆叠件上...

本发明提供了一种用于减少芯体对芯体失配的方法。该方法包括通过测量装置测量第一组SOC产品中的每个芯体的代表性图案的栅极长度。第一组SOC产品中的每一个包括两个以上彼此相同的芯体。该方法还包括根据每个芯体的栅极长度之间的差值确定调整量，并...

抛光头包括承载头和多个布置在承载头上的压力单元。至少两个压力单元位于相对于承载头的中轴线的同一圆周线上。本发明还涉及抛光头，化学机械抛光系统和抛光衬底的方法。

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：一晶体管，该晶体管包括：一源极区、一漏极区及设置于该源极区与该漏极区之间的一沟道区；一第一栅极，设置于该沟道区之上；以及多个第二栅极，设置于该漏极区之上。本发明的优点之一在于栅极结构于形...

本发明提供了一种形成具有模塑通孔的半导体器件的方法，该方法包括共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件。基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分。覆盖晶圆包括多个隔离沟槽和多个分离沟槽，相对于覆盖晶圆的相...

本发明公开了处理半导体器件的工具和系统以及处理半导体器件的方法。在一些实施例中，用于处理半导体器件的工具包括设置在第一材料上方的第二材料以及设置在第一材料和第二材料内的多个孔。第二材料包括比第一材料更高的反射率。每个孔均被用来将封装部件...