本发明提供了用于封装件的迹线上凸块(BOT)互连件和制造BOT互连件的方法。一种实施例BOT互连件包括具有远端的接合迹线，至少延伸到接合迹线的远端的导电柱，以及电连接接合迹线和导电柱的焊料部件。在实施例中，导电柱悬于接合迹线的端表面之上...

本发明提供了半导体器件及其形成方法。本发明提供了用于形成半导体器件结构的实施例。该半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的栅叠层结构。该半导体器件结构还包括形成在栅叠层结构的侧壁上的栅极间隔件。该半导体器件结构还包括形成在衬底中的隔离结构...

本发明提供了用于形成半导体器件的方法的实施例。该半导体器件包括：通过第一隔离结构部分地环绕的第一鳍，并且该第一鳍伸出穿过第一隔离结构的顶面。半导体器件还包括：被通过第二隔离结构部分地环绕的第二鳍，并且该第二鳍伸出穿过第二隔离结构的顶面。...

根据实施例，底部抗反射层包括将聚合物树脂的表面能改变至更接近匹配下面的材料的表面能改性基团，从而帮助在结构之间填充间隙。可以使用表面能改性基团或通过使用无机结构改变聚合物树脂的表面能。本发明还涉及间隙填充材料及方法。

本发明的一个实施例是一种封装件，该封装件包括第一封装组件。第一封装组件包括附接至第一互连结构的第一侧的第一管芯；围绕第一管芯的模制材料；以及位于模制材料和第一管芯上方的第二互连结构，第二互连结构的第一侧通过第一电连接件连接至第一管芯。第...

本发明提供了半导体器件的半导体衬垫。本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。示例性FinFET包括具有主要表面的衬底；从主要表面突出并包括下部、上部及位于上部和下部之间的中部的鳍结构，其中，鳍结构包括具有第一晶格常数的第一半导体...

本发明提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件包括：具有通过浅沟槽隔离(STI)区划分的第一有源区和第二有源区的衬底；位于STI区上的保护结构；位于第一有源区上的第一半导体结构；以及位于衬底的第二有源区上的第二半导体结构，第二...

一种使用离子注入降低蚀刻偏差的方法。本发明涉及一种形成晶体管器件的方法。在该方法中，在半导体衬底内形成第一和第二阱区。第一和第二阱区分别具有彼此不同的第一和第二蚀刻速率。将掺杂剂选择性注入至第一阱区内以改变第一蚀刻速率，从而使第一蚀刻速...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、导电材料和介电层，第一半导体芯片包括第一金属结构、顶面和底面；第二半导体芯片包括第二金属结构，其中，第二半导体芯片与第一半导体芯片在底面上相接合；...

本发明提供了封装件的交错式通孔再分布层(RDL)的实施例，其包括由金属通孔支撑的第一聚合物层。该第一聚合物层具有第一聚合物通孔。第一再分布层设置在第一聚合物层上和第一聚合物通孔内。第一再分布层电连接至金属通孔。第二聚合物层设置在第一再分...

本公开的实施例包括半导体封装件及其形成方法。一个实施例是一种方法，包括：将管芯安装到衬底的顶面以形成器件；将管芯和衬底的顶面封装在模塑料中，模塑料在管芯之上具有第一厚度；以及去除管芯之上的模塑料的部分但非所有厚度。该方法还包括对器件执行...

一种集成电路器件包括RRAM单元的阵列、用于RRAM单元的阵列的位线的阵列以及用于RRAM单元的阵列的源极线的阵列。源极线和位线都位于RRAM单元之上的金属互连层中。从而提供了具有比传统的引线尺寸更高的源极线，这使复位速度增大了约一个数...

本发明提供了具有螺旋电感器的可变电感器、包括其的压控振荡器及锁相环。一种可变电感器包括衬底上方的螺旋电感器，螺旋电感器包括环状部分。可变电感器进一步包括：衬底上方的接地环，接地环至少围绕螺旋电感器的环状部分；以及衬底上方的浮置环，浮置环...

本发明涉及用于沟道应变的锗分布。本发明涉及一种晶体管器件，其具有应变源极/漏极区，应变源极/漏极区包括具有不连续的锗浓度分布的应变诱导材料。在一些实施例中，该晶体管器件具有设置在半导体衬底上的栅极结构。具有应变诱导材料的源极/漏极区沿着...

在本发明中描述了用于掺杂FinFET器件的阱的机制的实施例，该实施例利用沉积掺杂膜以掺杂阱区。该机制使得在接近掺杂的阱区的沟道区中维持较低的掺杂剂浓度。结果，可以大大提高晶体管性能。该机制包括在形成晶体管的隔离结构之前沉积掺杂膜。掺杂膜...

本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括形成为填充两个相邻的层间电介质(ILD)区之间的沟槽的金属栅极(MG)层；使用CMP系统实施化学机械抛光(CMP)工艺以平坦化MG层和ILD区；以及使用包...

本发明提供了一种用于制造鳍式场效应晶体管（FinFET）器件的方法，该方法包括在衬底上方形成第一介电层，以及然后蚀刻第一介电层和衬底以形成第一鳍和第二鳍。沿着第一鳍和第二鳍的侧壁形成第二介电层。在第一鳍和第二鳍的上方沉积保护层。去除位于...

本发明提供了金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构及其形成方法。本发明提供了形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的机理的实施例。金属‑绝缘体‑金属电容器结构包括衬底。MIM电容器结构还包括形成在衬底上的CBM层，并且CBM层包括底...

本发明提供了一种互连装置及形成该互连装置的方法。两个集成电路接合在一起。形成穿过其中一个衬底的第一开口。沿着第一开口的侧壁形成多层介电膜。一个或多个蚀刻工艺沿着第一开口的侧壁形成一个或多个间隔件型结构。形成从第一开口延伸至集成电路中的焊...

本发明提供了包括光刻胶喷嘴器件的光刻胶供应系统的实施例。该光刻胶喷嘴器件包括管，该管包括第一部分、连接至第一部分的曲线部分和连接至曲线部分的第二部分。光刻胶喷嘴器件还包括连接至第二部分的喷嘴。本发明还提供了光刻胶喷嘴器件及光刻胶供应系统。