半导体封装件及方法技术

使用位于第一封装件和第二封装件之间的结构元件将第一封装件接合至第二封装件以提供结构支撑。在实施例中，结构元件是板或者一个或多个导电球。在放置结构元件之后，将第一封装件接合至第二封装件。本发明专利技术还涉及半导体封装件及方法。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2014年3月7日提交的标题为“Semiconductor Package and Methods of Forming Same”的美国临时专利申请第61/949,755号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
本专利技术涉及半导体封装件及方法。
技术介绍
自从集成电路(IC)的专利技术以来，由于对各个电部件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断改进，半导体工业经历了快速地增长。在很大的程度上，集成密度的改进来自于重复减小最小部件的尺寸，这实现了在给定区域内集成更多的部件。由于通过集成部件占据的体积基本上在半导体晶圆的表面上，因此这种集成的改进本质上是在二维(2D)中进行的。尽管光刻中重要的改进在2D IC形成中产生了重大的改进，但是可以在二维中实现的密度仍然具有物理限制。这些限制中的一种是为制造这些部件所需的最小尺寸。同时，当在一个芯片中放入更多的器件时，需要利用更复杂的设计。为了进一步增大电路密度，已经研究了三维(3D)IC。在3D IC的通用形成工艺中，两个管芯接合在一起并且在每个管芯和衬底上的接触焊盘之间形成电连接件。例如，一种尝试包括将两个管芯在彼此的顶部接合。然后，堆叠的管芯接合至载体衬底并且接合线将每个管芯上的接触焊盘电连接至载体衬底上的接触焊盘。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，本专利技术提供了一种半导体器件，包括：第一封装件，具有第一侧；第二封装件，具有面向所述第一侧的第二侧；第一外部连接件，电连接至所述第一封装件的所述第一侧和所述第二封装件的所述第二侧；以及结构元件，位于所述第一封装件和所述第二封装件之间，其中，所述结构元件的尺寸不同于所述第一外部连接件的尺寸。在上述半导体器件中，其中，所述结构元件是框。在上述半导体器件中，其中，所述结构元件是框；其中，所述框是铜框。在上述半导体器件中，其中，所述结构元件是第一固体球。在上述半导体器件中，其中，所述结构元件是第一固体球；其中，所述第一固体球是焊料球。在上述半导体器件中，其中，所述结构元件是第一固体球；其中，所述第一外部连接件包括第二固体球，所述第二固体球的尺寸大于所述第一固体球的尺寸。在上述半导体器件中，其中，所述第二封装件是集成的扇出式封装件。在上述半导体器件中，其中，所述结构元件不与所述第一封装件的接触焊盘接触。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种半导体器件，包括：第一封装件，具有第一侧，所述第一封装件包括第一半导体器件；第一外部连接件，连接至所述第一侧；支撑元件，邻近所述第一侧，所述第一外部连接件围绕所述支撑元件，其中，所述支撑元件与所述第一半导体器件电隔离；以及第二封装件，具有面向所述第一侧的第二侧，所述第二侧连接至所述第一外部连接件。在上述半导体器件中，其中，所述支撑元件是框。在上述半导体器件中，其中，所述支撑元件是框；其中，所述框是金属框。在上述半导体器件中，其中，所述支撑元件是一个或多个固体球。在上述半导体器件中，其中，所述支撑元件是一个或多个固体球；其中，所述一个或多个固体球是焊料球。在上述半导体器件中，其中，所述支撑元件是一个或多个固体球；其中，所述第一外部连接件是球，并且其中，所述一个或多个固体球小于所述第一外部连接件。在上述半导体器件中，其中，所述第二封装件是集成的扇出式封装件。根据本专利技术的又一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在第一封装件的第一侧上形成第一外部连接件；将结构元件放置在所述第一封装件的所述第一侧上，其中，所述结构元件的尺寸不同于所述第一外部连接件的尺寸；以及将所述第一封装件接合至第二封装件，使得所述结构元件位于所述第一封装件和所述第二封装件之间。在上述方法中，其中，所述第一封装件是集成的扇出式封装件。在上述方法中，其中，放置所述结构元件是放置金属框。在上述方法中，其中，放置所述结构元件是放置一个或多个固体球。在上述方法中，其中，放置所述结构元件是放置一个或多个固体球；其中，所述一个或多个固体球的直径小于所述第一外部连接件的直径。附图说明当结合参考附图进行阅读时，根据下文具体的描述可以最佳地理解本专利技术的各个方面。应该理解，根据工业中的标准实践，各个部件无需按比例绘制。事实上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1根据一些实施例示出了第一封装件。图2A和图2B根据一些实施例示出了第二封装件。图3A和图3B根据一些实施例示出了第一封装件与具有框的第二封装件的接合。图4根据一些实施例示出了框内形成的槽。图5A和图5B根据一些实施例示出了第一封装件和具有导电球的第二封装件的接合。图6根据一些实施例示出了第一封装件与具有第一接触焊盘的具有导电球的第二封装件的接合的另一个实施例。图7根据一些实施例示出了另一个实施例，其中金属框301附接至第二封装件的表面。具体实施方式本专利技术的以下内容提供了许多用于实施所提供的主题的不同特征的不同实施例或实例。以下描述组件和配置的具体实例以简化本专利技术。当然，这仅仅是实例，并不用于限制本专利技术。例如，第一部件形成在第二部件之上或者上可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间形成附加部件，从而使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。再者，本公开可在各个示例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简明和清楚，而且其本身没有规定所述各种实施例和/或结构之间的关系。现参考图1，图1示出了第一封装件100。第一封装件100可以包括第一衬底103、第一半导体器件101、第一接触焊盘109、第一密封剂111和第一外部连接件113。在实施例中，第一衬底103可以是例如包括内部互连件的封装的衬底，内部互连件使第一半导体器件101连接至诸如第二封装件200(未在图1中示出，但在下文中结合图2A和图2B进行了示出和描述)的其他外部器件。可选地，第一衬底103可以是用作中间衬底的插入件，以将第一半导体器件101连接至其他外部器件。在这个实施例中，第一衬底103可以是例如掺杂或未掺杂的硅衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底的有源层。然而，第一衬底103可以可选地是玻璃衬底、陶瓷衬底、聚合物衬底或可以提供合适的保护和/或互联功能的任何其他衬底。这些材料和任何其他合适的材料...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一封装件，具有第一侧；第二封装件，具有面向所述第一侧的第二侧；第一外部连接件，电连接至所述第一封装件的所述第一侧和所述第二封装件的所述第二侧；以及结构元件，位于所述第一封装件和所述第二封装件之间，其中，所述结构元件的尺寸不同于所述第一外部连接件的尺寸。

【技术特征摘要】
2014.03.07 US 61/949,755;2014.05.13 US 14/276,7841.一种半导体器件，包括：
第一封装件，具有第一侧；
第二封装件，具有面向所述第一侧的第二侧；
第一外部连接件，电连接至所述第一封装件的所述第一侧和所述第二
封装件的所述第二侧；以及
结构元件，位于所述第一封装件和所述第二封装件之间，其中，所述
结构元件的尺寸不同于所述第一外部连接件的尺寸。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述结构元件是框。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述框是铜框。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述结构元件是第一固
体球。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一固体球是焊料
球。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一外部连接件包
括第二固体球，所述第二固体球的...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏安治，陈宪伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71