具有穿过埋氧层的漏极侧接触件的半导体器件制造技术

本发明专利技术公开了一种被配置为提供高散热性并提高击穿电压的半导体器件，该半导体器件包括衬底、位于衬底上方的埋氧层、在衬底中位于埋氧层下方的掩埋n+区域以及位于埋氧层上方的外延层。外延层包括p阱、n阱以及介于p阱和n阱之间的漂移区。该半导体器件还包括源极接触件、将源极接触件电连接至p阱的第一电极、以及位于p阱的一部分和漂移区的一部分的上方的栅极。该半导体器件还包括漏极接触件和从漏极接触件延伸穿过n阱并穿过埋氧层到达掩埋n+区域的第二电极。第二电极将漏极接触件电连接至n阱和掩埋n+区域。本发明专利技术还提供了具有穿过埋氧层的漏极侧接触件的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底；埋氧层，位于所述衬底上方；掩埋n+区域，在所述衬底中位于所述埋氧层下面；外延层，位于所述埋氧层上方，所述外延层包括：p阱；n阱；和漂移区，介于所述p阱和所述n阱之间；源极接触件；第一电极，将所述源极接触件电连接至所述p阱；栅极，位于所述p阱的一部分和所述漂移区的一部分上方；漏极接触件；以及第二电极，从所述漏极接触件延伸穿过所述n阱并穿过所述埋氧层，到达所述掩埋n+区域，其中，所述第二电极将所述漏极接触件电连接至所述n阱和所述掩埋n+区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林东阳，蒋昕志，柳瑞兴，雷明达，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71