本发明公开一种结构，该结构包括第一芯片，第一芯片具有第一衬底以及位于第一衬底下方的第一介电层，其中第一金属垫位于第一介电层中。第二芯片包括第二衬底、位于第二衬底上方并且接合至第一介电层的第二介电层以及位于第二介电层中的第二金属垫。导电插...

除了其他方面，本发明提供了一种或多种图像传感器以及用于形成这样的图像传感器的方法。图像传感器包括被配置以检测光的光电二极管阵列。填充栅格形成在光电二极管阵列上方，诸如介电栅格上方。填充栅格包括一个或多个填充结构，诸如提供到达第一光电二极...

本发明提供了一种或多种用于限制天线与射频开关电路之间的电势的系统和技术。本发明提供了一种用于射频开关电路的电压控制器，电压控制器包括电压发生器、电压检测电路和开关单元。电压检测电路连接至电压发生器和开关单元，而开关单元连接至电压源和射频...

本发明提供了电镀以及实施电镀的装置，其中，在工件上电镀金属层的方法包括将工件的表面暴露于电镀液中，并且将电源负极端的第一电压提供给工件的边缘部分。将第二电压提供给工件的内部部分，其中，内部部分比边缘部分更接近工件的中心。电源的正极端与金...

本发明提供了叠层封装结构，其中，一种器件包括：安装在底部封装件上的顶部封装件，底部封装件包括多个互连部件，并且底部封装件包括形成在底部封装件第一面上的多个第一凸块；半导体管芯，接合在底部封装件的第二面上，半导体管芯通过互连部件电连接至第...

本发明涉及互连结构和方法，提供了一种半导体器件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，其中，第一半导体芯片包括第一衬底和形成在第一衬底上方的多个第一金属线；第二半导体芯片接合在第一半导体芯片上，其中，第二半导体芯片包括第二衬底和形成在第二衬...

本发明公开了一种对准方法和装置。一种示例性装置包括形成在衬底上的重合标记；以及形成在所述重合标记附近的多个伪部件。所述伪部件具有低于对准检测工具的最小分辨率的尺寸。将所述重合标记与它最近的伪部件分离的最小距离与重合标记形成的半导体制造技...

本发明公开了一种制造图像传感器件（诸如BSI图像传感器）的方法和用此方法制造的图像传感器，其中，防止了BARC层中的电荷被金属屏蔽接地件中的相反电荷不期望的中和，从而减少暗电流并且提高器件的性能。图像传感器包括具有在与其正面相邻处形成的...

本发明提供了用于制造三维（3D）图像传感器结构的方法的实施例。该方法包括：提供在其中形成图像传感器并且在其上形成第一互连结构的图像传感器衬底、以及在其中形成逻辑电路并且在其上形成第二互连结构的逻辑衬底；以第一和第二互连结构夹置在逻辑衬底...

一种堆叠半导体器件包括CMOS器件和MEMS器件。CMOS器件包括多层互连件，在该多层互连件上方设置有金属元件。MEMS器件包括金属部分，在该金属部分上方设置有第一介电层。位于第一介电层中的腔露出部分金属部分。介电停止层至少设置在腔的内...

提供一种半导体布置和形成方法。半导体形成方法包括：使用单一光刻胶以掩蔽将形成低压器件的区域以及高压器件的栅极结构，同时执行高压器件的高能量注入。半导体制造的另一种方法包括：通过图案化的光刻胶执行高压器件的高能量注入，其中，在形成高压器件...

本发明涉及用于封装的铜表面处理。管芯具有顶面，及具有在管芯顶面上方突出的一部分的金属柱。金属柱的侧壁具有纳米线。管芯与封装衬底相接合。底部填充填充至管芯和封装衬底之间的间隔内。

本发明涉及带内隧道FET，其具有能够提供高驱动电流的对称FET。在一些实施例中，所公开的带内隧道FET具有第一掺杂类型的源极区和第一掺杂类型的漏极区。源极区和漏极区通过沟道区间隔开。栅极区可以生成改变沟道区中的价带和/或导带的位置的电场...

一种调压器包括：驱动电路、反馈电路、第一和第二控制电路以及电阻器。驱动电路连接至输入节点和输出节点，并且根据输入节点处的输入电压在输出节点处生成输出电压。反馈电路连接至输出节点并且基于输出电压生成反馈电压。第一控制电路连接至反馈电路和驱...

本发明公开了一种更改部件图案的方法，包括：从设计图案中提取主图案和切割图案，以及如果任一部件图案违反了布局规则，则更改主图案和切割图案中的至少一个，其中，按照在形成主图案的过程中改进工艺窗口的一组工艺指南布置主图案。本发明还公开了主图案...

一种形成目标图案的方法，该方法包括：在衬底上形成第一材料层；使用第一布局实施第一图案化工艺以在第一材料层中形成多个第一沟槽；使用第二布局实施第二图案化工艺以在第一材料层中形成多个第二沟槽；在多个第一沟槽和多个第二沟槽的侧壁上均形成间隔部...

提供了用于半导体封装的表面处理方法和装置。在一个实施例中，对导电层的表面进行处理以生成粗化表面。在一个实例中，在导电层的表面上形成纳米线。在铜导电层的情况中，纳米线可以包含CuO层。在另一个实例中，在导电层的表面上形成络合物。可以使用例...

本发明提供了半导体器件。半导体器件包括：形成在衬底上并被配置为通过频率电流工作的电感器；以及配置在电感器和衬底之间的伪金属部件，伪金属部件的第一宽度小于2倍的与频率有关的趋肤深度。本发明还提供了具有伪金属部件的电感器结构及方法。

本发明提供了一个或多个图像传感器以及将光导向光电二极管的技术。一种具有堆叠栅格结构的图像传感器包括金属栅格，该金属栅给被配置成朝向相应的光电二极管引导光且使光偏离其他光电二极管中。该图像传感器还包括位于金属栅格之上的介电栅格和填充栅格用...

本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括提供工件，其包括n型场效应晶体管（N-FET）区、p型FET（P-FET）区以及设置在N-FET区和P-FET之上的绝缘材料。该方法包括对绝缘材料进行图案化以露...