本发明公开了一种远紫外线光刻处理方法。该处理方法包括：接收远紫外光(EUV)掩膜、EUV放射源和照明器。该处理方法也包括：通过放射光以小于3度的物体侧的主光线入射角(CRAO)曝光EUV，其中，辐射光来自EUV放射源且被照明器定向。该处...

本发明首先通过接收FinFET前体来制造FinFET器件。FinFET前体包括衬底，位于衬底上的鳍，位于鳍的两侧上的隔离区和位于衬底上的伪栅极堆叠件，该伪栅极堆叠件包括环绕鳍的一部分，这被称为栅极沟道区。去除伪栅极堆叠件以形成栅极沟槽并...

本发明公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。一个示例性的半导体器件包括衬底，该衬底包括分开源极和漏极（S/D）部件的栅极结构。该半导体器件进一步包括形成在衬底上方的第一介电层，该第一介电层包括与S/D部件电接触的第一互连结构。该半...

本发明公开了示例性双层微机电系统(MEMS)器件以及其制造方法。一种示例性方法包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层与第二硅层；对第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将第一结构层接合至衬底...

本发明提供了执行设局布局的一种或更多种技术和系统。初始的设计布局与电器部件(诸如，标准单元)相关。该初始的设计布局包括第一图案(诸如，芯轴图案)和第二图案(诸如，被动填充图案)。生成用于初始设计布局的初始切割图案。响应与初始切割图案相关...

一种方法包括在衬底上形成III-V族化合物层并且将主掺杂剂注入到III-V族化合物层以形成源极区和漏极区。方法进一步包括将V族物质注入到源极区和漏极区。一种半导体器件包括衬底和衬底上方的III-V族化合物层。半导体器件进一步包括III-...

公开了利用微凸块层形成带有传输线的半导体器件封装件的方法和装置。微凸块层可以包括在顶部器件和底部器件之间形成的微凸块和微凸块线。可以利用底部器件上方的微凸块线形成信号传输线。可以利用底部器件内的再分布层(RDL)或利用其他微凸块线形成接...

本发明提供了一种集成电路，包括：半导体器件层，包括在相邻栅电极线之间具有固定栅电极间距的标准单元结构；以及电阻器，由标准单元结构的固定栅电极间距之间的金属形成。在一个实施例中，集成电路可以是具有由金属形成的电阻器的跨域标准单元的器件充电...

公开了用于密封环结构的方法和装置。可以在第一晶圆和/或第二晶圆上形成晶圆密封环。在第一晶圆和/或第二晶圆中的一个或两个上可以形成有一个或多个管芯。晶圆密封环可以围绕对应的晶圆的管芯形成。一个或多个管芯密封环可以围绕一个或多个管芯形成。晶...

本发明公开了用于操作SRAM单元的方法和包括静态随机存储器(SRAM)阵列的电路。SRAM单元位于SRAM阵列中，并且包括p阱区、位于p阱区的相对侧的第一n阱区和第二n阱区以及第一和第二传输门FinFET。第一传输门FinFET和第二传...

本发明公开了半导体器件、其制造方法以及半导体器件封装。在一个实施例中，半导体器件包括在衬底的表面上具有开口的绝缘材料层。一个或多个插入凸块设置在绝缘材料层上方。半导体器件包括具有不设置在绝缘材料层上方的部分的信号凸块。

提供了用于形成具有环绕封装通孔(TPV)的端部的开口的TPV以及具有利用TPV的接合结构的叠层封装(PoP)器件的机构的各个实施例。诸如通过采用激光钻孔去除环绕TPV的端部的材料来形成开口。环绕管芯封装件的TPV的端部的开口使形成在与另...

本发明涉及改进后段工艺(BEOL)可靠性的方法和装置。在一些实施例中，该方法在半导体衬底上方形成具有一个或多个金属层结构的极低k(ELK)介电层。在ELK介电层上方在一个或多个金属层结构之间的位置形成第一保护层。然后在一个或多个金属层结...

图案生成器包括：具有平面镜的平面镜阵列板、设置在平面镜阵列板上方的至少一个电极板、设置在平面镜上方的小透镜、以及夹置在平面镜阵列板和电极板之间的至少一个绝缘层。电极板包括第一导电层和第二导电层。小透镜具有在电极板中形成的非竖直侧壁。图案...

本发明提供了一种用于设计集成电路并且预测金属氧化物半导体(MOS)阵列中的电流失配的系统和方法。选择MOS阵列中的第一单元子集并且对于这些单元中的每个单元测量电流。确定用于第一单元子集中的每个单元的电流相对于参考单元的电流的标准差。可以...

本发明涉及一种在半导体衬底中形成超浅结的方法。该方法包括通过执行预非晶化注入步骤在半导体衬底中形成非晶化区域以及通过执行单层掺杂步骤在非晶化区域中注入一种或更多种掺杂物。然后热处理该半导体衬底以激活非晶化区域中的注入的掺杂物从而由此在半...

本发明公开了封装方法及封装半导体器件。在一些实施例中，封装半导体器件的方法包括：在载体上形成第一接触焊盘；在第一接触焊盘上方形成布线结构；以及在布线结构上方形成第二接触焊盘。第一封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的第一组，第二封装半导体...

本发明提供了用于控制分压器的一种或者多种技术或者系统。在一些实施方式中，控制电路配置成使用模拟信号偏置分压器的上拉单元，从而使得所述分压器是电平可调的。换句话说，所述控制电路使所述分压器输出多电压电平。另外，所述控制电路配置成基于与所述...

本发明公开的一种方法包括可以在晶圆上形成晶圆密封环，该晶圆密封环具有带图案密度的图案结构。晶圆密封环图案结构可以包括具有宽度和间隔约等于晶圆上管芯接合环的宽度和间隔的多条线。具有形成在其上的晶圆密封环的晶圆可以接合至不具有晶圆密封环的晶...

一些实施例涉及一种加工工件的方法。该工件包括具有第一润湿性系数的第一表面区域和具有第二润湿性系数的第二表面区域，第二润湿性系数不同于第一润湿性系数。在工件的第一表面区域和第二表面区域上分配对应于光学结构的液体，其中，由于第一润湿性系数和...