本发明公开了封装结构中的细长凸块结构，其中封装结构包括附接至衬底的芯片。芯片包括凸块结构，其包括具有沿着导电柱的长轴测量的长度(L)和沿着导电柱的短轴测量的宽度(W)的导电柱。衬底包括焊盘区域和位于焊盘区域上方的掩模层，其中，掩模层具有...

本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造半导体器件的方法包括部分地制造鳍式场效应晶体管(FinFET)，该FinFET包括具有第一半导电材料和设置在第一半导电材料上方的第二半导电材料的半导体鳍。去除半导体鳍的第二半导...

本发明公开了钝化后互连结构及其形成方法。一种方法包括：在钝化层上方形成聚合物层，其中钝化层还包括位于金属焊盘上方的一部分。图案化聚合物层以在聚合物层中形成开口，其中聚合物层的暴露表面具有第一粗糙度。实施表面处理以使聚合物层的粗糙度增加至...

一种方法包括对光刻掩模实施束扫描以修复光刻掩模。在束扫描之后，对光刻掩模实施辐射处理。通过一种装置实施该方法，该装置包括被配置成生成束并且将束投射到光刻掩模上的束发生器，被配置成在光刻掩模上生成辐射的辐射源，和被配置用于释放加工气体到光...

本发明提供了用于在管芯封装件中形成具有多个导电层和/或凹槽的封装通孔（TPV）和利用TPV形成具有接合结构的层叠封装（PoP）器件的机制的不同实施例。将多个导电层中的一层用作TPV的主导电层的保护层。当暴露于焊料时，保护层不容易氧化并具...

本发明公开了一种器件包括衬底，位于衬底上方的金属焊盘，以及与所述金属焊盘电断开的金属迹线。金属焊盘和金属迹线相互齐平。钝化层包括与所述金属焊盘的边缘部分重叠的部分。金属柱覆盖在金属焊盘上方并且与所述金属焊盘电断开。金属迹线具有与所述金属...

本发明提供了一种或多个种形成线端空间结构的系统。在一些实施例中，在第一HM区域之上形成第一图案化的第二硬掩模(HM)区域。在一些实施例中，在第一图案化的第二HM区域或第一HM区域中的至少一个之上形成第一牺牲HM区域和第二牺牲HM区域。在...

一种具有低接触电阻率的互补金属氧化物半导体及其形成方法。本发明提供了实施例互补金属氧化物半导体(CMOS)器件和形成CMOS器件的实施例方法。实施例CMOS器件包括n型金属氧化物半导体(NMOS)和p型金属氧化物半导体(PMOS)，其中...

在许多其他方面，还提供了包括一个或多个小平面表面的半导体器件以及用于形成该半导体器件的技术。诸如finFET的半导体器件包括形成于半导体衬底上的鳍。鳍包括源极区、沟道和漏极区。围绕该沟槽形成栅极。对鳍的上鳍部进行退火，例如通过氢退火工艺...

本发明提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)单元。SRAM单元包括用于数据存储的交叉耦合的第一反相器和第二反相器，每个反相器都包括：至少一个上拉器件和至少两个下拉器件；至少四个传输门器件，被配置为具有两个交叉耦合的反相器；至少两个端口...

本发明公开了用于半导体结构的方法和装置。一种半导体结构可以包括第一器件和第二器件，第一器件具有其上形成有第一接合层的第一表面并且第二器件具有其上形成有第二接合层的第一表面。第一接合层可以提供到第一器件中的至少一个电气器件的导电路径。第二...

本发明涉及的是一种器件，包括金属焊盘和具有与金属焊盘重叠的部分的钝化层。电容器包括位于钝化层下方的底部电容器电极，其中，该底部电容器包括金属焊盘。电容器另外包括位于部分钝化层上方的顶部电容器电极；以及包括部分钝化层的电容器绝缘体。本发明...

一种背照式图像传感器结构包括邻近半导体衬底的第一面形成的图像传感器，其中第一介电层形成在半导体衬底的第一面上方以及互连层形成在第一介电层上方。该图像传感器结构还包括在半导体衬底的第二面上方形成的背照膜以及在半导体衬底的第二面和背照膜之间...

本发明涉及用于低功率应用的MCML保留触发器/锁存器以及降低MCML逻辑电路器件的动态/静态功耗的器件和方法。为了在断电模式期间保留寄存器内容，公开了MCML保留锁存器和触发器。MCML架构中的保留锁存器电路用于在断电模式期间保留关键寄...

本发明公开了一种方法，包括：形成栅极堆叠件以覆盖半导体鳍的中间部分，以及用n型杂质掺杂半导体鳍的暴露部分以形成n型掺杂区。通过栅极堆叠件防止中间部分的至少一部分接收n型杂质。该方法进一步包括使用氯自由基蚀刻n型掺杂区以形成凹槽，以及实施...

本文提供了一种具有V形区域的半导体器件或晶体管以及用于形成半导体器件的方法。半导体器件包括一个或多个v形凹槽，其中生长诸如硅锗的应变单晶半导体材料以形成半导体器件的源极和漏极中的至少一个。一个或多个v形凹槽原位被蚀刻进衬底。当半导体器件...

本文提供了一种或多种用于偏置控制的技术或者系统。在一些实施例中，偏置控制涉及对图像传感器的一个或多个像素的列进行偏置。在一些实施例中，相关电路包括复位晶体管、源极跟随器晶体管、第一转移晶体管、第一偏置晶体管、第二偏置晶体管以及连接至第二...

双开关混合存储单元器件包括：连接于第一开关的一个端子和第二开关的栅极之间的存储节点。该器件还包括：连接至存储节点的电阻切换器件。当存储单元处于动态模式时，电阻切换器件通过被设置为高阻态用作电容。本发明还提供了混合存储器。

本发明公开了一种堆叠掩模。该掩模包括：低热膨胀材料(LTEM)衬底、至少两个吸收层以及分离这两个吸收层的间隔层。第一吸收层沉积在LTEM衬底上方。该掩模进一步包括位于吸收层的上方的顶涂层。间隔层的厚度约等于晶圆衬底上的构形部件的高度乘以...

提供了用于鳍式场效应晶体管(FinFET)的栅极堆叠件的N功函数金属及其形成方法。实施例FinFET包括由半导体衬底支撑的鳍，该鳍在源极和漏极之间延伸并且具有沟道区域；以及在鳍的沟道区域上方形成的栅极堆叠件，该栅极堆叠件包括包含位于碳化...