【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种堆叠掩模。该掩模包括:低热膨胀材料(LTEM)衬底、至少两个吸收层以及分离这两个吸收层的间隔层。第一吸收层沉积在LTEM衬底上方。该掩模进一步包括位于吸收层的上方的顶涂层。间隔层的厚度约等于晶圆衬底上的构形部件的高度乘以物镜的缩倍的平方。吸收层包括阶段图案。【专利说明】堆叠掩模
本专利技术总的来说涉及半导体领域,更具体地,涉及一种堆叠掩模。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了指数式增长。IC材料和设计的技术进步产生了多代1C,每一代IC都具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC发展的过程中,通常在减小几何尺寸(即,可以使用制造工艺制造的最小部件(或线))的同时增加功能密度(即,每个芯片面积的互连器件数量)。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率并降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性,并且为了实现这些进步,需要IC处理和制造方面的类似发展。例如,随着部件尺寸按比例缩小,改进了光学光刻系统的分辨率。然而,提高分辨率的结果是降低了焦深(DOF)。在许多情况下,DOF仅仅足够支持光刻胶膜厚度、 ...
【技术保护点】
一种掩模,包括:低热膨胀材料(LTEM)衬底;至少两个吸收层,其中第一吸收层沉积在所述LTEM衬底的上方;以及间隔层,分离这两个吸收层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:林本坚,李信昌,秦圣基,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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