【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了封装方法及封装半导体器件。在一些实施例中，封装半导体器件的方法包括：在载体上形成第一接触焊盘；在第一接触焊盘上方形成布线结构；以及在布线结构上方形成第二接触焊盘。第一封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的第一组，第二封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的第二组。移除载体。第二封装半导体器件包括与第一封装半导体器件不同的封装类型。【专利说明】封装方法及封装半导体器件
本专利技术总的来说涉及集成电路，更具体地，涉及封装方法及封装半导体器件。
技术介绍
半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方顺序沉积绝缘层或介电层、导电层和半导电材料层，然后采用光刻来图案化或处理衬底和/或各种材料层以在其上形成电路部件和元件并形成集成电路来制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。通过沿着划线切割集成电路来分割单个管芯。然后，例如以多芯片模块或以其他类型的封装来分别封装各个管芯。半导体工业通过持续减小最小部件尺寸而不断提高集成电路中各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻...
【技术保护点】
一种封装半导体器件的方法，所述方法包括：在载体上形成多个第一接触焊盘；在所述多个第一接触焊盘的上方形成布线结构；在所述布线结构的上方形成多个第二接触焊盘；将第一封装半导体器件连接至所述多个第二接触焊盘中的第一组；将第二封装半导体器件连接至所述多个第二接触焊盘中的第二组，所述第二封装半导体器件包括与所述第一封装半导体器件不同的封装类型；以及移除所述载体。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，洪瑞斌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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