封装方法及封装半导体器件技术

本发明专利技术公开了封装方法及封装半导体器件。在一些实施例中，封装半导体器件的方法包括：在载体上形成第一接触焊盘；在第一接触焊盘上方形成布线结构；以及在布线结构上方形成第二接触焊盘。第一封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的第一组，第二封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的第二组。移除载体。第二封装半导体器件包括与第一封装半导体器件不同的封装类型。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了封装方法及封装半导体器件。在一些实施例中，封装半导体器件的方法包括：在载体上形成第一接触焊盘；在第一接触焊盘上方形成布线结构；以及在布线结构上方形成第二接触焊盘。第一封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的第一组，第二封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的第二组。移除载体。第二封装半导体器件包括与第一封装半导体器件不同的封装类型。【专利说明】封装方法及封装半导体器件
本专利技术总的来说涉及集成电路，更具体地，涉及封装方法及封装半导体器件。
技术介绍
半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方顺序沉积绝缘层或介电层、导电层和半导电材料层，然后采用光刻来图案化或处理衬底和/或各种材料层以在其上形成电路部件和元件并形成集成电路来制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。通过沿着划线切割集成电路来分割单个管芯。然后，例如以多芯片模块或以其他类型的封装来分别封装各个管芯。半导体工业通过持续减小最小部件尺寸而不断提高集成电路中各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度，这允许将更多的部件集成到给定面积中。在一些应用中，这些更小的电子部件还需要更小的封装件，其使用比过去的封装件更小的面积。在一些应用中，期望在一个封装件内将具有不同功能的集成电路封装在一起。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种封装半导体器件的方法，包括:在载体上形成多个第一接触焊盘；在多个第一接触焊盘的上方形成布线结构；在布线结构的上方形成多个第二接触焊盘；将第一封装半导体器件连接至多个第二接触焊盘中的第一组；将第二封装半导体器件连接至多个第二接触焊盘中的第二组，第二封装半导体器件包括与第一封装半导体器件不同的封装类型；以及移除载体。优选地，该方法进一步包括:在多个第一接触焊盘中的每一个上都形成导电球。优选地，该方法进一步包括:在第一封装半导体器件、第二封装半导体器件和布线结构上方形成模塑料。优选地，该方法进一步包括减小模塑料的厚度。优选地，形成多个第一接触焊盘包括在载体上方形成种子层，在种子层上方形成第一绝缘材料，图案化第一绝缘材料，以及将第一导电材料镀在种子层上。优选地，形成布线结构包括形成再分布层(RDL)。优选地，形成种子层包括形成第一种子层，并且形成RDL包括:在图案化的第一绝缘材料和第一导电材料上方形成第二种子层，在部分第二种子层的上方镀第二导电材料，移除部分第二种子层，以及在第一绝缘材料和第二导电材料上方形成第二绝缘材料。优选地，形成多个第二接触焊盘包括在部分第二导电材料的上方形成多个第二接触焊盘。根据本专利技术的另一方面，提供了一种封装半导体器件的方法，包括:在载体上方形成第一种子层；在第一种子层上方形成第一绝缘材料；图案化第一绝缘材料以限定多个第一接触焊盘的图案；将第一导电材料镀在第一种子层上以形成多个第一接触焊盘；在第一导电材料和第一绝缘材料上方形成第二种子层；在第二种子层上方形成第一光刻胶层；图案化第一光刻胶层以限定布线结构；将第二导电材料镀在第二种子层的露出部分上；移除第一光刻胶层；在第二导电材料和第一绝缘材料上方形成第二绝缘材料；图案化第二绝缘材料以限定多个第二接触焊盘的图案；在图案化的第二绝缘材和第二导电材料的露出部分上方形成第三种子层；在第三种子层上方形成第二光刻胶层；图案化第二光刻胶层以进一步限定多个第二接触焊盘的图案；将第三导电材料镀在第三种子层的露出部分上以形成多个第二接触焊盘；将第一封装半导体器件连接至多个第二接触焊盘中的第一组；将第二封装半导体器件连接至多个第二接触焊盘中的第二组，第二封装半导体器件包括与第一封装半导体器件不同的封装类型；以及移除载体。优选地，该方法进一步包括将多个第二封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的多个第二组，其中，多个第二封装半导体器件中的每一个都包括相对于多个第二封装半导体器件中的其他器件不同的封装类型。优选地，镀第三导电材料包括镀焊料，并且连接第一封装半导体器件和连接第二封装半导体器件包括回流焊料。优选地，第一封装半导体器件或第二封装半导体器件包括从基本由集成电路、多个集成电路、系统级封装件(SiP)、SiP模块、分离无源器件、微机电系统(MEMS)、功能模块和/或它们的组合所组成的组中选择的器件类型。优选地，形成第一种子层包括形成Ti，镀第一导电材料包括镀Ni，形成第二种子层包括形成TiCu，镀第二导电材料包括镀Cu，或者形成第三种子层包括形成TiCu。根据本专利技术的又一方面，提供了一种封装半导体器件，包括:再分布层(RDL)，包括多个绝缘材料层和设置在多个绝缘材料层中的布线结构，RDL包括第一侧和与第一侧相对的第二侧；多个第一接触焊盘，设置在RDL的第一侧；多个第二接触焊盘，设置在RDL的第二侧；第一封装半导体器件，连接至多个第二接触焊盘中的第一组；第二封装半导体器件，连接至多个第二接触焊盘中的第二组，第二封装半导体器件包括与第一封装半导体器件不同的封装类型；模塑料，设置在第一封装半导体器件、第二封装半导体器件和RDL的上方；以及导电球，设置在多个第一接触焊盘中的每一个上。优选地，RDL的多个绝缘材料层包括聚合物。优选地，该封装半导体器件进一步包括连接至多个第二接触焊盘中的第三组的第三封装半导体器件，第三封装半导体器件包括与第一封装半导体器件不同的封装类型。优选地，第三封装半导体器件包括与第二封装半导体器件不同的封装类型。优选地，该封装半导体器件进一步包括多个第三封装半导体器件，多个第三封装半导体器件中的每一个都连接至多个第二接触焊盘的多个第三组中的一组。优选地，第一封装半导体器件、第二封装半导体器件或第三封装半导体器件包括从基本由叠层封装件(PoP)、薄型小尺寸封装件(TSOP)、晶圆级芯片规模封装件(WLCSP)、表面贴装器件(SMD)、栅格阵列(LGA)封装件、球栅阵列(BGA)封装件、方形扁平无引脚(QFN)封装件和它们的组合所组成的组中选择的封装类型。优选地，导电球包括焊球，并且以球栅阵列(BGA)配置焊球。【专利附图】【附图说明】为了更完整地理解本专利技术及其优点，现在结合附图作为参考进行以下描述，其中:图1至图14示出了根据本专利技术一些实施例的封装多个封装半导体器件的方法的截面图；图15是根据一些实施例的封装半导体器件的立体图；以及图16是示出根据一些实施例的封装半导体器件的方法的流程图。除非另有说明，否则不同附图中相应的数字和符号通常是指相应的部分。绘制附图以清楚地示出实施例中的相关部分但不需要按照比例绘制。【具体实施方式】以下详细讨论本专利技术实施例的制造和使用。然而，应该理解，本专利技术提出了许多可以在各种具体环境中具体化的可应用专利技术概念。所讨论的具体实施例只是制造和使用本专利技术的具体方式的说明，而不限制本专利技术的范围。本专利技术的实施例涉及半导体器件的封装。本文将描述将多个封装半导体器件封装在一起的新方法。图1至图14示出了根据本专利技术一些实施例的封装半导体器件的方法的截面图。为了整体概括新方法，如图1至图4所示，在载体102上形成第一接触焊盘111。如图4和图5所示，在第一接触焊盘111的上方形成布线结构112/122。如图6至图8所示，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装半导体器件的方法，所述方法包括：在载体上形成多个第一接触焊盘；在所述多个第一接触焊盘的上方形成布线结构；在所述布线结构的上方形成多个第二接触焊盘；将第一封装半导体器件连接至所述多个第二接触焊盘中的第一组；将第二封装半导体器件连接至所述多个第二接触焊盘中的第二组，所述第二封装半导体器件包括与所述第一封装半导体器件不同的封装类型；以及移除所述载体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，洪瑞斌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71