【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种方法，包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，所述SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层和第二硅层；对所述第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将所述第一结构层接合至一衬底；以及对所述第二硅层进行处理以形成所述MEMS器件的第二结构层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱家骅，李德浩，李久康，梁凯智，林宗贤，郑钧文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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