半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种具有鳍状体的半导体装置的制造方法，首先于基板上形成一图案化屏蔽，然后于基板内形成凹槽，并于凹槽中填入介电材料，之后将图案化屏蔽移除，并以一种或多种蚀刻工艺来内凹介电材料，其中前述蚀刻工艺的至少其中之一是用以移除沿着凹槽边墙所形成的围栏或防止前述围栏的形成。前述蚀刻工艺可为例如采用NH3与NF3的等离子蚀刻工艺、采用富高分子气体的蚀刻工艺或氢气蚀刻工艺。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术是申请日为2010年01月15日，申请号为2010100038886，专利技术名称为“”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术是关于一种半导体装置，且特别是关于应用含氮内衬层以改善隔离结构的制造方法。
技术介绍
今用于制造超大规模集成电路(ultra-largescale integrated circuit, ULSI)的主要半导体技术为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术。过去数十年来，由于金属氧化物半导体场效应晶体管尺寸的缩小，已使组件的操作速度、性能、电路密度以及每单位效能所花费的成本均获得持续性的改善。然而，随着传统基体金属氧化物半导体场效应晶体管(bulkMOSFET)内栅极长度的缩小，源极和漏极与其间通道的相互作用逐渐增加，并逐渐影响到通道电位，因此栅极长度小的晶体管容易遭受栅极对其通道的开启与关闭状态的控制能力不足的问题。如有关短通道长度的晶体管所减少对栅极控制的现象，即所谓短通道效应，而增加基体掺杂浓度、降低栅极氧化层厚度以及使用超浅源极/漏极接面，均可抑制该短通道效应。然而，当组件尺寸进入次20纳米时代(N2x nm regime本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：提供一基板；于该基板内形成一个或多个鳍状体；于形成一个或多个所述鳍状体后，于所述鳍状体中相邻数者间的区域内填入二氧化硅；以及执行一第一蚀刻步骤，用以内凹该二氧化硅以致沿着所述鳍状体的边墙所残留的所述二氧化硅形成围栏，并形成一凹陷处；以及执行一第二蚀刻步骤，用以完全移除所述围栏，其中该第二蚀刻步骤采用NH3与NF3的等离子蚀刻工艺，该NF3与NH3化合成等离子型态，使得NH4F及NH4F.HF产生，而该NH4F及NH4F.HF与二氧化硅起反应，生成固态的(NH4)2SiF6，该固态的(NH4)2SiF6形成于该凹陷处的底部。

【技术特征摘要】
2009.01.26 US 61/147,164;2009.11.12 US 12/617,4631.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含: 提供一基板； 于该基板内形成一个或多个鳍状体； 于形成一个或多个所述鳍状体后，于所述鳍状体中相邻数者间的区域内填入二氧化娃;以及 执行一第一蚀刻步骤，用以内凹该二氧化硅以致沿着所述鳍状体的边墙所残留的所述二氧化硅形成围栏，并形成一凹陷处；以及 执行一第二蚀刻步骤，用以完全移除所述围栏，其中该第二蚀刻步骤采用NH3与NF3的等离子蚀刻工艺，该NF3与NH3化合成等离子型态，使得NH4F及NH4F.HF产生，而该NH4F及NH4F.HF与二氧化硅起反应，生成固态的(NH4)2SiF6,该固态的(NH4)2SiF6形成于该凹陷处的底部。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第二蚀刻步骤包含: 执行一氢气蚀刻工艺。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于: 该第一蚀刻步骤与该第二蚀刻步骤为一单一的连续蚀刻步骤。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该单一蚀刻步骤包含: 执行一采用富高分子气体的蚀刻工艺。5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该单一蚀刻步骤包含: 执行一氢气蚀刻工艺。6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含: 提供一基板； 于该基板内形成一个或多个凹槽； 于形成一个或多个凹槽后，于该一个或多个凹槽内的至少一部分填入二氧化硅；内凹该一个或...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈能国，曾国华，蔡正原，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71