半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件以及制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体层，其具有第一导电型；一对第一电极，它们彼此分隔开地布置在所述半导体层中；第二电极，其设置在所述半导体层上并位于所述一对第一电极之间，在所述第二电极与所述半导体层之间具有介电膜；以及一对连接部，它们分别电连接到所述一对第一电极，其中，所述一对第一电极中的一者或两者被划分成第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域经由桥连部连接。利用本发明专利技术的半导体器件能够在防止接触部烧毁的同时减小半导体器件的面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及适用于诸如一次性可编程(One Time Programmable,OTP)元件等存储器元件的半导体器件以及该半导体器件的制造方法。
技术介绍
OTP元件是一种即使在器件的电源被关闭的情况下也能够存储信息的非易失性存储器元件。过去，针对OTP元件已经提出了几种诸如熔丝型结构以及反熔丝型结构等结构。在熔丝型OTP元件中，通过使大电流流入例如由多晶硅等形成的电阻元件以将两个电极间的短路状态改变成它们间的开路状态来熔断电阻器，并由此执行信息写入操作。然而，在熔丝型OTP元件中，如上所述，由于大电流在写入时流过，所以需要具有可通过大电流的高电流能力的晶体管以及具有其内可通过大电流的大宽度的布线。因此，在熔丝型OTP元件中，存在这样的缺点，即，包括外围电路的整个面积增加。另一方面，在反熔丝型OTP元件中，通过将大于或等于介电强度电压的电压施加到例如金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor, M0S)型电容元件、使介电膜击穿以及使大电流流过来熔化形成在电极部中的合金(诸如硅化物)。熔化的金属在电极之间形成细丝，并因此将两个电极之间的开路状态改变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其包括：半导体层，其具有第一导电型；一对第一电极，它们彼此分隔开地布置在所述半导体层中；第二电极，其设置在所述半导体层上并位于所述一对第一电极之间，在所述第二电极与所述半导体层之间具有介电膜；以及一对连接部，它们分别电连接到所述一对第一电极，其中，所述一对第一电极中的一者或两者被划分成第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域经由桥连部连接。

【技术特征摘要】
2013.02.27 JP 2013-0373161.一种半导体器件，其包括: 半导体层，其具有第一导电型； 一对第一电极，它们彼此分隔开地布置在所述半导体层中； 第二电极，其设置在所述半导体层上并位于所述一对第一电极之间，在所述第二电极与所述半导体层之间具有介电膜；以及 一对连接部，它们分别电连接到所述一对第一电极， 其中，所述一对第一电极中的一者或两者被划分成第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域经由桥连部连接。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一区域和所述第二区域经由绝缘膜分隔开。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林正治，柳泽佑辉，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP