【技术实现步骤摘要】
字线驱动器及相关方法
本专利技术涉及半导体领域,更具体地,本专利技术涉及一种字线驱动器及相关方法。
技术介绍
半导体工业由于多种电子部件(例如,晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的发展经历了迅速的成长。就绝大部分而言,集成密度方面的这种发展源于半导体工艺节点的缩小(例如,朝着20nm以下的节点缩小工艺节点)。随着器件尺寸的缩小,也缩小了电压节点,同时现代的核心器件电压倾向于小于1伏并且输入/输出(I/O)器件电压低于2伏。非易失性存储器(NVM),一种在不供电时仍保有存储的数据的存储器经常被置入到互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑工艺中并且通常需要用于操作的高编程电压。在许多NVM应用中,字线(WL)解码器驱动字线上的高电压来编程NVM单元且驱动字线上的低电压从NVM单元中进行读取。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题,根据本专利技术的一个方面,提供了一种字线驱动器,包括:第一晶体管,与第一电压供应节点和字线电连接;第二晶体管,与第二电压供应节点和所述字线电连接;第一开关,与所述第一电压供应节点和所述第二晶体管的体电极电连接;以及第二开关,与所述 ...
【技术保护点】
一种字线驱动器,包括:第一晶体管,与第一电压供应节点和字线电连接;第二晶体管,与第二电压供应节点和所述字线电连接;第一开关,与所述第一电压供应节点和所述第二晶体管的体电极电连接;以及第二开关,与所述第二电压供应节点和所述第二晶体管的体电极电连接。
【技术特征摘要】
2013.02.27 US 13/779,0391.一种字线驱动器,包括:第一晶体管,与第一电压供应节点和字线电连接;第二晶体管,与第二电压供应节点和所述字线电连接;第一开关,与所述第一电压供应节点和所述第二晶体管的体电极电连接;以及第二开关,与所述第二电压供应节点和所述第二晶体管的体电极电连接。2.根据权利要求1所述的字线驱动器,进一步包括:负电压泵,与所述第二晶体管的栅电极电连接。3.根据权利要求2所述的字线驱动器,其中,所述负电压泵包括:逻辑门,具有输入端和输出端;电容器,具有与所述输出端电连接的第一端和与所述第二晶体管的栅电极电连接的第二端;以及第三晶体管,与所述电容器的所述第二端和第三电压供应节点电连接。4.根据权利要求3所述的字线驱动器,其中,所述负电压泵包括:第四晶体管,与所述电容器的所述第二端和所述第三电压供应节点电连接;第五晶体管,与所述第二电压供应节点和所述第四晶体管的栅电极电连接;以及第六晶体管,与所述电容器的所述第二端和所述第四晶体管的栅电极电连接。5.根据权利要求1所述的字线驱动器,进一步包括:第三开关,与所述第二晶体管的体电极和所述字线电连接。6.根据权利要求5所述的字线驱动器,进一步包括:负电压泵,与所述第二晶体管的栅电极电连接。7.根据权利要求6所述的字线驱动器,其中,所述负电压泵包括:逻辑门,具有输入端和输出端;电容器,具有与所述输出端电连接的第一端和与所述第二晶体管的栅电极电连接的第二端;以及第三晶体管,与所述电容器的所述第二端和第三电压供应节点电连接。8.根据权利要求7所述的字线驱动器,其中,所述负电压泵包括:第四晶体管,与所述电容器的所述第二端和所述第三电压供应节点电连接;第五晶体管,与所述第二电压供应节点和所述第四晶体管的栅电极电连接;以及第六晶体管,与所述电容器的所述第二端和所述第四晶体管的栅电极电连接。9.一种字线驱动器,包括:第一晶体管,与第一电压供应节点和字线电连接;第二晶体管,与第二电压供应节点和所述字线电连接;第一开关,与所述第一电压供应节点和所述第二晶体管的体电极电连接;以及第二开关,与所述第二晶体管...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴瑞仁,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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