一种存储装置及用于存储装置的数据访问方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储装置及用于存储装置的数据访问方法，其方法包含以下步骤：将存储装置的数据存储区划分为多个数据存储单元，按照访问规则从所述数据存储单元中读取数据或将数据写入所述数据存储单元中；对每个数据存储单元的访问次数进行计数；判断所述访问次数是否达到或超过预先设定的阈值；数据交换步骤，当访问次数判断结果为是时，将访问次数最大一个或几个数据存储单元与当前访问次数小于所述阈值的一个或几个数据存储单元内部存储的数据相互交换，并同时相应的修改所述访问规则。根据本发明专利技术所述方法可以从整体上提高存储装置的使用寿命和存储数据的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种存储装置及用于存储装置的数据访问方法
本专利技术涉及信息
，具体说涉及一种存储装置及用于存储装置的数据访问方法。
技术介绍
电可擦可编程只读存储器(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，简称EEPROM)，是一种特殊形式的闪存，是一种掉电后数据不丢失的存储器。EEPROM可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程(重写)。EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。通常EEPROM利用个人电脑来擦写和重编程，不需从计算机中取出即可修改。由于EEPROM的可编程特性以及其较低的成本，其在电子产品中被广泛地应用。EEPROM一般用于即插即用，也常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据，或用在防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候可频繁地反复编程，因此EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。但是当在EEPROM内存储数据时，通常会将数据存储在固定位置，因此，在电子产品中，若EEPROM存储的某处数据不需要频繁的更新(写/读操作)，EEPROM可以使用足够长的时间。但若EE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于存储装置数据访问方法，其特征在于，所述方法包含以下步骤：步骤一，将存储装置的数据存储区划分为多个数据存储单元，按照访问规则从所述数据存储单元中读取数据或将数据写入所述数据存储单元中；步骤二，对每个数据存储单元的访问次数进行计数；步骤三，判断所述访问次数是否达到或超过预先设定的阈值；步骤四，当访问次数判断结果为是时，将访问次数最大一个或几个数据存储单元与当前访问次数小于所述阈值的一个或几个数据存储单元内部存储的数据相互交换，并同时相应的修改所述访问规则。

【技术特征摘要】
1.一种用于存储装置数据访问方法，其特征在于，所述方法包含以下步骤：步骤一，将存储装置的数据存储区划分为多个数据存储单元，按照访问规则从所述数据存储单元中读取数据或将数据写入所述数据存储单元中；步骤二，对每个数据存储单元的访问次数进行计数；步骤三，判断所述访问次数是否达到或超过预先设定的阈值；步骤四，当访问次数判断结果为是时，将访问次数最大一个或几个数据存储单元与当前访问次数小于所述阈值的一个或几个数据存储单元内部存储的数据相互交换，并同时相应的修改所述访问规则，其中，将每个所述数据存储单元划分为至少一个存储空间，所述存储空间包含数据模块以及对应的纠错模块和校验模块，在写入数据时，将相同的数据以及对应的纠错码和校验码分别写入单个数据存储单元的不同数据模块、纠错模块和校验模块中；其中所述校验码或所述纠错码采用至少一种校验规则或纠错规则。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述访问规则包括每个所述数据存储单元的地址编码定义，以及对应的系统解码定义。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤四中，访问规则的修改包括：将进行数据交换的数据存储单元的地址编码定义相互交换，在交换所述地址编码定义过程前后，所述系统解码定义不变。4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，当读取数据时，读取存储在某一个所述数据模块中的数据以及相应的校验码和纠错码；利用所述校验码进行校验判断并在校验判断失败时利用所述纠错码进行纠错判断。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，当所述纠错判断失败时，读取其他数据模块的数据以及相应的校验码和纠错码，进行所述校验判断并在校验判断失败时进行所述纠错判断。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，读取不同的数据模块的数据以及相应的校验码和纠错码并进行所述校验判断或所述纠错判断，直到所述校验判断或所述纠错判断成功；利用校验成功或纠错成功的正确数据对出现错误的数据模块进行数据恢复操作。7.一种存储装置，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：田秀臣，高如阳，高航，
申请(专利权)人：北京世纪东方国铁科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11