EEPROM存储单元的操作方法技术

一种EEPROM存储单元的操作方法。所述EEPROM存储单元包括中间电极、主存储位以及次存储位，所述主存储位包括第一扩散区和第一控制栅极，所述次存储位包括第二扩散区和第二控制栅极；所述EEPROM存储单元的操作方法包括：对所述EEPROM存储单元进行读取操作时，施加第一读取电压至所述中间电极，施加第二读取电压至所述第一控制栅极，施加第三读取电压至所述第二控制栅极和所述第一扩散区，将所述第二扩散区与读取电路连接。本发明专利技术提供的EEPROM存储单元的操作方法，提高了所述EEPROM存储单元的耐久性。

【技术实现步骤摘要】
EEPROM存储单元的操作方法
本专利技术涉及存储器
，特别涉及一种EEPROM存储单元的操作方法。
技术介绍
电可擦可编程只读存储器（EEPROM，ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory）是一种以字节为最小修改单位、可以通过电子方式多次复写的半导体存储设备。相比可擦可编程只读存储器（EPROM，ErasableProgrammableRead-OnlyMemory），EEPROM不需要用紫外线照射，也不需取下，就可以用特定的电压，来抹除芯片上的信息，以便写入新的数据。由于EEPROM的优秀性能以及在线上操作的便利，它被广泛用于需要经常擦除的BIOS芯片以及闪存芯片，并逐步替代部分有断电保留需要的随机存取存储器（RAM，RandomAccessMemory）芯片，甚至取代部分的硬盘功能，与高速RAM成为二十一世纪最常用且发展最快的两种存储技术。图1是现有的一种EEPROM存储单元M0的剖面结构示意图，所述EEPROM存储单元M0为双分离栅晶体管结构，包括两个对称分布的存储位。具体地，所述EEPROM存储单元M0包括：衬底1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种EEPROM存储单元的操作方法，所述EEPROM存储单元包括中间电极、主存储位以及次存储位，所述主存储位包括第一扩散区和第一控制栅极，所述次存储位包括第二扩散区和第二控制栅极；其特征在于，所述EEPROM存储单元的操作方法包括：对所述EEPROM存储单元进行读取操作时，施加第一读取电压至所述中间电极，施加第二读取电压至所述第一控制栅极，施加第三读取电压至所述第二控制栅极和所述第一扩散区，将所述第二扩散区与读取电路连接。

【技术特征摘要】
1.一种EEPROM存储单元的操作方法，所述EEPROM存储单元包括中间电极、主存储位以及次存储位，所述主存储位包括第一扩散区和第一控制栅极，所述次存储位包括第二扩散区和第二控制栅极；其特征在于，所述EEPROM存储单元的操作方法包括：对所述EEPROM存储单元进行读取操作时，施加第一读取电压至所述中间电极，施加第二读取电压至所述第一控制栅极，施加第三读取电压至所述第二控制栅极和所述第一扩散区，将所述第二扩散区与读取电路连接，所述第三读取电压为EEPROM的电源电压。2.如权利要求1所述的EEPROM存储单元的操作方法，其特征在于，所述第一读取电压为2.5V至3.5V，所述第二读取电压不大于0V。3.如权利要求2所述的EEPROM存储单元的操作方法，其特征在于，所述第二读取电压为-0.4V至-1V。4.如权利要求3所述的EEPROM存储单元的操作方法，其特征在于，所述第一读取电压为3V，所述第二读取电压为-0.6V。5.如权利要求1所述的EEPROM存储单元的操作方法，其特征在于，还包括：对所述EEPROM存储单元进行擦除操作时，施加第一擦除电压至所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，胡剑，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31