【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种控制器的操作方法包括：选择码字的要打孔的位；根据要打孔的位的位置和生成矩阵计算单元的结构，检测输入字的无用位的位置；重新冻结输入字以便使冻结位和输入字的无用位重叠；通过根据重新冻结结果用冻结位取代信息字位来生成输入字位；通过对输入字位进行生成矩阵计算来生成码字；通过根据要打孔的位的位置对码字打孔来生成输出位；以及将输出位发送给非易失性存储器件。【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求2012年10月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0115557号的优先权，通过引用并入其全部内容。
本文所述的专利技术构思的示范性实施例涉及半导体器件，例如，。
技术介绍
半导体存储器件是使用像硅(Si )、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等那样的半导体制造的存储器件。半导体存储器件被分类成易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件在断电时可能丢失存储的内容。易失性存储器件包括静态RAM(SRAM)、动态RAM (DRAM)、同步DRAM (SDRAM)等。非易失性存储器件即使在断电时也可以保留存储的内容。非易失性...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：申东旻，梁景喆，任胜灿，李起准，孔骏镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，浦项工科大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：
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