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一种EEPROM存储单元的操作方法。所述EEPROM存储单元包括中间电极、主存储位以及次存储位,所述主存储位包括第一扩散区和第一控制栅极,所述次存储位包括第二扩散区和第二控制栅极;所述EEPROM存储单元的操作方法包括:对所述EEPROM存...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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一种EEPROM存储单元的操作方法。所述EEPROM存储单元包括中间电极、主存储位以及次存储位,所述主存储位包括第一扩散区和第一控制栅极,所述次存储位包括第二扩散区和第二控制栅极;所述EEPROM存储单元的操作方法包括:对所述EEPROM存...