【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】提供了使用可变电阻材料的非易失性存储装置。第一箝位单元连接在电阻存储器单元和第一感测节点之间，向电阻存储器单元提供第一箝位偏压。第一箝位偏压随时间而变化。第一补偿单元向第一感测节点提供补偿电流。第一感测放大器，连接到第一感测节点，以感测第一感测节点的电平变化。响应于第一数据存储在电阻存储器单元中，在第一箝位偏压开始的时间点过去第一时间量之后，第一感测放大器的输出值转变到不同状态。响应于不同于第一数据的第二数据存储在电阻存储器单元中，在第一箝位偏压开始的时间点过去不同于第一时间量的第二时间量之后，第一感测放大器的输出值转变到不同状态。【专利说明】使用可变电阻材料的非易失性存储器装置相关申请的交叉引用本申请基于并要求于2012年10月29日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0120534号韩国专利申请的优先权，该申请的内容通过引用全部包含于此。
本专利技术构思涉及包含可变电阻材料的非易失性存储器装置及其驱动方法。
技术介绍
具有电阻材料的非易失性存储器装置包括相变随机存取存储器(PRAM)、电阻式RAM (PRAM)、磁性RAM (MRAM)...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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