【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及多栅极存储器的控制栅极字线驱动器电路。存储器（101）具有多栅极存储器单元阵列（103）和耦合于所述阵列的存储器单元的分区的字线驱动器电路（115）。在至少一个操作模式中，所述字线驱动器电路可控制成在所述分区是非选择的分区的读取操作期间将耦合于所述控制栅极字线驱动器并且耦合于所述分区的相关控制栅极字线设置于浮置状态。【专利说明】多栅极存储器的控制栅极字线驱动器电路
本公开总体涉及存储器，更具体地说涉及多栅极存储器的控制栅极字线驱动器电路。
技术介绍
多栅极存储器是其存储器单元包括两个独立偏置的栅极(控制栅极和选择栅极)的存储器。在某些例子中，控制栅极和选择栅极是存储器单元的相同晶体管的一部分，例如在分离栅极存储器单元中，但是在其它类型的多栅极存储器中(例如，在2-T存储器单元中)，它们可以位于分离的晶体管中。控制栅极耦合于控制栅极字线，而选择栅极耦合于选择栅极字线。存储器单元通过断言(assert)控制栅极字线和选择栅极字线来被访问。【专利附图】【附图说明】通过参考附图，本专利技术可以被更好的理解，并且其多个目的、特征以及优点对本...
【技术保护点】
一种存储器，包括：多栅极存储器单元阵列；地址解码器；控制栅极字线驱动器电路，耦合于所述地址解码器并且耦合于所述阵列的存储器单元的分区，所述控制栅极字线驱动器电路可控制成在所述分区是非选择的分区的至少一种操作模式中，在读取操作期间将耦合于所述控制栅极字线驱动器并且耦合于所述分区的相关的控制栅极字线设置于浮置状态。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：G·穆勒，R·J·西兹代克，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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