一种基于半桥控制驱动电路的自锁式光激发栅极驱动系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于半桥控制驱动电路的自锁式光激发栅极驱动系统，其由驱动芯片M，自锁光激发电路，以及与该驱动芯片M相连接的驱动电路组成，其特征在于，在驱动芯片M与自锁光激发电路之间还串接有半桥控制驱动电路；本发明专利技术能根据外部光照条件来自动激发驱动芯片M的相关功能，无需增加额外的启动装置，因此其功耗较低。本发明专利技术采用半桥控制驱动电路作为辅助驱动电路，并且采用GR6953集成电路作为处理芯片，使其驱动速度更快，并具有低功耗启动的优点，从而使本发明专利技术能耗比传统的驱动系统降低1/2。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED驱动电路，具体是指一种基于半桥控制驱动电路的自锁式光激发栅极驱动系统。
技术介绍
目前，由于LED灯具有能耗低、使用寿命长以及安全环保等特点，其已经成为了人们生活照明的主流产品之一。由于LED灯不同于传统的白炽灯，因此其需要由专用的驱动电路来进行驱动。然而，当前人们广泛使用的栅极驱动电路由于其设计结构的不合理性，导致了目前栅极驱动电路存在能耗较高、电流噪音较大以及启动时间较长等缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前栅极驱动电路存在的能耗较高、电流噪音较大以及启动时间较长的缺陷，提供一种基于半桥控制驱动电路的自锁式光激发栅极驱动系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:一种基于半桥控制驱动电路的自锁式光激发栅极驱动系统，其由驱动芯片M,自锁光激发电路，与该驱动芯片M相连接的驱动电路，以及串接在驱动芯片M与自锁光激发电路之间的半桥控制驱动电路组成。进一步的，所述半桥控制驱动电路由处理芯片Ul，场效应管MOSl，三极管Q2，N极与三极管Q2的发射极相连接、P极则经电阻R4后与自锁光激发电路相连接的二极管D3，正极与二极管D3的P极相连接、负极接地的极性电容C6，与极性电容C6相并联的稳压二极管D2，正极经电阻R7后与处理芯片Ul的RT管脚相连接、负极则经电阻R5后与场效应管MOSl的栅极相连接的极性电容C5，串接在场效应管MOSl的栅极和源极之间的电阻R6，正极与处理芯片Ul的CT管脚相连接、负极则与场效应管MOSl的漏极相连接的极性电容C7，一端与处理芯片Ul的HV管脚相连接、另一端则与三极管Q2的基极相连接的电阻R8，以及P极与处理芯片Ul的VS管脚相连接、N极则与驱动芯片M的VCC管脚相连接的二极管D4组成；所述场效应管MOSl的源极则与自锁光激发电路相连接，而极性电容C5的负极则与驱动芯片M的INP管脚相连接；所述处理芯片Ul的VCC管脚和其VB管脚分别与二极管D3的P极和N极相连接，其SGND管脚和VS管脚均与极性电容C5的负极相连接，其PGND管脚接地；所述三极管Q2的集电极与极性电容C5的负极相连接。所述的自锁光激发电路由或非门IC1，或非门IC2，或非门IC3，一端经电阻R4后与二极管D3的P极相连接、另一端经电位器R2后接地的光电池⑶S，一端经电阻R4后与二极管D3的P极相连接、另一端与或非门IC2的第二输入端相连接的电阻R1，以及串接在或非门IC3的第一输入端与输出端之间的电容Cl组成；所述或非门ICl的第一输入端与光电池CDS与电位器R2的连接点相连接，其第二输入端与或非门IC2的输出端相连接，而其输出端则与或非门IC2的第一输入端相连接；所述或非门IC2的输出端还与或非门IC3的第二输入端相连接，而或非门IC3的输出端则与场效应管MOSl的源极相连接。所述驱动电路由变压器T，串接于驱动芯片M的VCC管脚与BOOST管脚之间的二极管Dl，串接于驱动芯片M的BOOST管脚与TG管脚之间的电容C2，串接于驱动芯片M的TG管脚与TS管脚之间的电阻R3，以及基极与驱动芯片M的TG管脚相连接、集电极顺次经电容C3和电容C4后接地、而发射极接地的晶体管Ql组成；所述变压器T的原边线圈的同名端与电容C3和电容C4的连接点相连接，其非同名端则与晶体管Ql的发射极相连接后接地；同时，晶体管Ql的发射极还与驱动芯片M的TS管脚相连接，所述变压器T的副边线圈上设有抽头Yl和抽头Y2。为确保使用效果，所述驱动芯片M优先采用LTC4440A集成芯片来实现，所述的处理芯片Ul则优选为GR6953集成芯片来实现。本专利技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果:(I)本专利技术能根据外部光照条件来自动激发驱动芯片M的相关功能，无需增加额外的启动装置，因此其功耗较低。(2)本专利技术的启动时间仅为传统栅极驱动电路启动时间的1/4，因此其启动时间极短。(3)本专利技术能有效的避免外部电磁干扰，能显著的降低电流噪音。(4)本专利技术采用半桥控制驱动电路作为辅助驱动电路，并且采用GR6953集成电路作为处理芯片，使其驱动速度更快，并具有低功耗启动的优点，从而使本专利技术能耗比传统的驱动系统降低1/2。【附图说明】图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术的半桥控制驱动电路结构示意图。【具体实施方式】下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，本专利技术由驱动芯片M，自锁光激发电路，与该驱动芯片M相连接的驱动电路，以及串接在驱动芯片M与自锁光激发电路之间的半桥控制驱动电路组成。如图1所述，该自锁光激发电路由光电池CDS、或非门IC1、或非门IC2、或非门IC3、电阻R1、电位器R2及电容Cl组成。其中，光电池⑶S用于在光照条件下产生电能，其一端与半桥控制驱动电路相连接，其另一端则经电位器R2后接地。同时，电阻Rl的一端也与半桥控制驱动电路相连接，而其另一端则与或非门IC2的第二输入端相连接。电容Cl串接在或非门IC3的第一输入端与输出端之间，为确保或非门IC3能正常运行，该电容Cl的正极需要与或非门IC3的第一输入端相连接，其负极则与或非门IC3的输出端连接即可。所述或非门ICl的第一输入端与光电池⑶S与电位器R2的连接点相连接，其第二输入端与或非门IC2的输出端相连接，而其输出端则与或非门IC2的第一输入端相连接，即该或非门ICl和或非门IC2之间形成一个交叉门电路。所述的或非门IC2的输出端与或非门IC3的第二输入端相连接，而或非门IC3的输出端则与半桥控制驱动电路相连接。所述的驱动电路则由变压器T、二极管D1、电容C2、电阻R3、电容C3、电容C4及晶体管Ql组成。连接时，二极管Dl的P极与驱动芯片M的VCC管脚相连接，其N极则与驱动芯片M的BOOST管脚相连接。电容C2的正极与驱动芯片M的BOOST管脚相连接，其负极则与驱动芯片M的TG管脚相连接。电阻R3为分压电阻，其串接于驱动芯片M的TG管脚与TS管脚之间。而晶体管Ql的基极则与驱动芯片M的TG管脚相连接，其集电极顺次经电容C3和电容C4后接地，其发射极接地。同时，该晶体管Ql的集电极还需要外接+6V的直流电当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于半桥控制驱动电路的自锁式光激发栅极驱动系统，其由驱动芯片M，自锁光激发电路，以及与该驱动芯片M相连接的驱动电路组成，其特征在于，在驱动芯片M与自锁光激发电路之间还串接有半桥控制驱动电路；所述半桥控制驱动电路由处理芯片U1，场效应管MOS1，三极管Q2，N极与三极管Q2的发射极相连接、P极则经电阻R4后与自锁光激发电路相连接的二极管D3，正极与二极管D3的P极相连接、负极接地的极性电容C6，与极性电容C6相并联的稳压二极管D2，正极经电阻R7后与处理芯片U1的RT管脚相连接、负极则经电阻R5后与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C5，串接在场效应管MOS1的栅极和源极之间的电阻R6，正极与处理芯片U1的CT管脚相连接、负极则与场效应管MOS1的漏极相连接的极性电容C7，一端与处理芯片U1的HV管脚相连接、另一端则与三极管Q2的基极相连接的电阻R8，以及P极与处理芯片U1的VS管脚相连接、N极则与驱动芯片M的VCC管脚相连接的二极管D4组成；所述场效应管MOS1的源极则与自锁光激发电路相连接，而极性电容C5的负极则与驱动芯片M的INP管脚相连接；所述处理芯片U1的VCC管脚和其VB管脚分别与二极管D3的P极和N极相连接，其SGND管脚和VS管脚均与极性电容C5的负极相连接，其PGND管脚接地；所述三极管Q2的集电极与极性电容C5的负极相连接；所述的自锁光激发电路由或非门IC1，或非门IC2，或非门IC3，一端经电阻R4后与二极管D3的P极相连接、另一端经电位器R2后接地的光电池CDS，一端经电阻R4后与二极管D3的P极相连接、另一端与或非门IC2的第二输入端相连接的电阻R1，以及串接在或非门IC3的第一输入端与输出端之间的电容C1组成；所述或非门IC1的第一输入端与光电池CDS与电位器R2的连接点相连接，其第二输入端与或非门IC2的输出端相连接，而其输出端则与或非门IC2的第一输入端相连接；所述或非门IC2的输出端还与或非门IC3的第二输入端相连接，而或非门IC3的输出端则与场效应管MOS1的源极相连接。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：雷明方，
申请(专利权)人：成都颉盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51