具有去耦的读/写路径的存储元件制造技术

本发明专利技术公开了一种具有去耦的读/写路径的存储元件，包括开关、连接在所述开关的栅极和第三线之间的电阻开关装置以及位于所述开关的栅极和第二线之间的传导路径，其中所述开关具有与第一线连接的第一端子和与第二线连接的第二端子。

【技术实现步骤摘要】
具有去耦的读/写路径的存储元件
本专利技术涉半导体
，更具体地，涉及一种具有去耦的读/写路径的存储元件。
技术介绍
日益频繁需求具有更大存储容量的更小器件。作为一种在更小的空间创建更大存储容量的机制，已在电阻存储器领域中发起一些努力。电阻存储系统使用能够基于所施加的条件来改变并且维持其电阻值的电阻元件。例如，可使用高电阻状态表示逻辑“I”而使用低电阻状态来表示逻辑“O”。这样的电阻存储元件经常构建为存储元件的阵列，并且每个元件被布置在交叉传导线上。为了设置或读出阵列中特定存储元件的状态，选择连接至该存储元件的传导线。所选择的线可具有各种所施加的电气条件以便设置或读出目标存储元件的电阻状态。例如，可施加电压至适当的传导线以读出目标存储元件的状态。该电压导致电流流过目标存储元件。基于该电流值，能够确定存储元件的电阻状态。然而，电流也将流过传导线至未选择的存储元件，并会不利地影响对流过目标存储元件的电流值进行测量的感测操作。该电流通常被称作潜行电流(sneak current)。亟需设计避免潜行电流问题的存储元件和阵列结构。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有去耦的读/写路径的存储元件，所述存储元件包括：开关，包括栅极、与第一线连接的第一端子以及与第二线连接的第二端子；电阻开关装置，连接在所述开关的栅极和第三线之间；以及传导路径，位于所述开关的栅极和所述第二线之间。

【技术特征摘要】
2013.02.21 US 13/773,3661.一种具有去耦的读/写路径的存储元件，所述存储元件包括: 开关，包括栅极、与第一线连接的第一端子以及与第二线连接的第二端子； 电阻开关装置，连接在所述开关的栅极和第三线之间；以及 传导路径，位于所述开关的栅极和所述第二线之间。2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述电阻开关装置包括金属-绝缘体-金属开关装置。3.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述电阻开关装置包括磁阻式隧道结(MTJ)装置。4.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述存储元件的读路径与所述存储元件的写路径取道所述存储元件中的不同路径。5.一种存储阵列，包括: 多条位线； 多条字线； 多条电源线；以及 多个存储元件，每个所述存储元件都包括: 开关，包括: 栅极； 与电源线连接的第一端子；和 与字线连接的第二端子； 电阻开关装置，连接在所述开关的栅极和位线之间；以及 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁裕伟，黄国钦，蔡竣扬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71