CMP站清洁的系统和方法技术方案

本发明专利技术提供了一种CMP站清洁系统和方法。一个实施例包括化学机械抛光(CMP)站，该CMP站包括用于覆盖CMP站不同部件的壳体单元。CMP站进一步包括浆料臂防护罩、浆料喷嘴、衬垫调节臂防护罩、压板防护罩、和载体头的不同表面；以及壳体单元的内部和垂直表面。将清洁液传送系统配置成作为定期向CMP站的不同表面配给清洁液。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体领域，更具体地，涉及CMP站清洁的系统和方法。
技术介绍
通常，化学机械抛光(CMP)可以用于半导体器件制造过程中，从而在制造中平坦化元件的各个部分。例如，在器件中形成不同的部件或层可能会引起不均匀外形，并且这种不均匀外形可能影响后续的制造工艺，如光刻工艺。因此，最理想的情况是，在形成不同的部件或层之后，使用已知方法，如CMP，平坦化器件的表面。通常，CMP包括将器件晶圆放置在载体头中。当向下压力施加给晶圆以压向抛光衬垫时，载体头和晶圆旋转。化学溶液，也称之为浆料，沉积在抛光衬垫的表面上和晶圆的下方，有助于平坦化。因此，通过结合机械(研磨)和化学(浆料)力可以平坦化晶圆的表面。但是，用浆料研磨晶圆的物理动作可能导致过量的浆料喷射在典型CMP站的不同机械部件、窗、或壁上。经过一段时间后，过量的浆料可能在CMP站的表面上积聚并干燥成结块的残留物。如果无人管理这种残留物，可能引起不同的问题。例如，在后续的CMP工艺中，留在CMP站的机械臂(如浆料臂)上的残留物可能落在抛光衬垫上，并致使晶圆出现刮伤。此外，由于浆料与晶圆中材料的相互作用的特性，残留物本身可能就具有毒性，并引起严重的健康危害。因此，我们期望周期性地清洁CMP站的表面。传统上，这种清洁由手动操作完成。通常，关闭CMP站，然后工人手动擦洗站的不同表面。在制造过程中，这种维护停工期导致效率变低并出现延期情况。此外，残留物本身可能具有毒性，这样使工人处于一种危害健康的工作环境中。本专利技术提供了一种新的自清洁CMP站的系统和方法，以解决上述问题。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种化学机械抛光(CMP)站维护方法，包括：将CMP站设置在封闭区域内，其中，CMP站包括位于封闭区域内的多个部件，每个部件均具有露出的表面；以及配置清洗液输送系统，用于以规律的时间间隔用清洗液来清洗多个露出的表面。其中，多个部件包括浆料臂盖，并且清洁液传送系统被配置为清洗浆料臂盖的表面。其中，多个部件包括浆料喷嘴，并且清洁液传送系统被配置为清洗浆料喷嘴的表面。其中，多个部件包括衬垫调节臂盖，并且清洁液传送系统被配置为清洗衬垫调节臂盖的表面。其中，衬垫调节臂盖的顶面的形状基本为三角形棱柱。其中，多个部件包括封闭区域的壁，并且清洁液传送系统被配置为清洗壁的表面。其中，多个部件包括压板防护罩，并且清洁液传送系统被配置为清洗压板防护罩的表面。其中，多个露出的表面包括载体头的外表面，并且清洁液传送系统被配置为清洗载体头的露出表面。其中，清洁液是选自主要由去离子水、酸溶液、碱溶液、及它们的组合所构成的组中的液体。其中，清洁液传送系统被配置为仅在CMP站没有有效地抛光晶圆时喷洗多个露出的表面。此外，还提供了一种化学机械抛光(CMP)站，包括：壳体单元，用于封闭CMP站的部件；表面，位于壳体内，表面包括：浆料臂防护罩的表面；浆料喷嘴的外表面；衬垫调节臂防护罩的表面；压板防护罩的表面；载体头的外表面；和壳体单元的内表面和垂直表面；以及清洁液配给系统，被配置为以设置的时间间隔将清洁液配给CMP站的表面。其中，清洁液配给系统被配置为给壳体单元的内表面和垂直表面提供配给。其中，清洁液配给系统被配置为：仅当CMP站没有有效地抛光晶圆时，为浆料臂防护罩的表面、浆料喷嘴的外表面、衬垫调节臂防护罩的表面和压板防护罩的表面配给清洁液。其中，清洁液配给系统被配置为：仅当载体头处于空闲模式时，为载体头的外表面提供配给。其中，清洁液是选自主要由去离子水、酸溶液、碱溶液、及它们的组合所构成的组中的液体。此外，还提供了一种化学机械抛光(CMP)站，包括：多个机械部件的露出的表面；以及清洁液喷洗系统，被配置为以预定的时间间隔使用清洁液覆盖露出的表面。该CMP站进一步包括环绕CMP站的壳体单元，机械部件包括壳体单元的内壁和垂直壁。其中，机械部件包括浆料臂盖、浆料喷嘴和载体头。其中，机械部件包括压板防护罩。其中，机械部件包括衬垫调节臂盖。附图说明为了更全面地理解实施例及其优势，现将结合附图所进行的描述作为参考，其中：图1示出了现有技术中的多衬垫CMP站的一部分的透视图；图2示出了现有技术中的典型CMP抛光衬垫的一部分的透视图；图3示出了根据一个实施例的CMP衬垫调节臂；图4示出了根据一个实施例的CMP浆料臂；图5示出了根据一个实施例的CMP压板；图6示出了根据一个实施例的CMP封闭壳体；以及图7示出了根据一个实施例的CMP载体传送带。具体实施方式下面，详细讨论本专利技术各实施例的制造和使用。然而，应该理解，本专利技术提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的专利技术的概念。所讨论的具体实施例仅仅示出了制造和使用本专利技术的具体方式，而不用于限制本专利技术的范围。参见图1，其示出了现有技术中的示例性多衬垫化学机械抛光(CMP)站，例如，可向美国加利福尼亚州的圣克拉拉应用材料公司购买的MIRRATM系统。但是，不同的实施例可以应用于其他制造商生产的其他CMP设备，也可以应用于其他的平坦化系统。CMP站100包括多个抛光衬垫102和传送带106。传送带106支撑众多的载体104，这样可以容纳几个晶圆(未示出)同时进行抛光。在一个实施例中，CMP站100位于封闭区域内，如封闭区108。封闭区108用于限制外部污染影响CMP工艺，也用于限制在CMP工艺中可能暴露给飞溅残留物的表面的数量。虽然图1示出了包括四个载体104和三个抛光衬垫102的CMP站，但是在其他实施例中，计划示出包括不同数量的载体头和抛光衬垫的CMP站。在其他实施例中也可以考虑将CMP站100配置成单衬垫CMP站。图2示出了抛光站200的透视图，该抛光站200可以是图1所示的多衬垫CMP站100的一部分。抛光站200包括旋转压板202，其中，抛光衬垫208已经设置在旋转压板202的上方。抛光衬垫208可以与图1所示的特定抛光衬垫102相对应。压板防护罩(platen shield)220(为了说明，只示出了一部分)通常环绕压板202的大部分，并且压板防护罩220用于保护抛光衬垫不受外部污染以及有助于容纳CMP工艺产生的飞溅残留物。旋转载体204可以与图1所示的特定载体104相对应，且设置在抛光衬垫208的上方。旋转载体204包括保持环206本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光(CMP)站维护方法，包括：将所述CMP站设置在封闭区域内，其中，所述CMP站包括位于所述封闭区域内的多个部件，每个部件均具有露出的表面；以及配置清洗液输送系统，用于以规律的时间间隔用清洗液来清洗多个所述露出的表面。

【技术特征摘要】
2012.12.28 US 13/730,1461.一种化学机械抛光(CMP)站维护方法，包括：
将所述CMP站设置在封闭区域内，其中，所述CMP站包括位于所述
封闭区域内的多个部件，每个部件均具有露出的表面；以及
配置清洗液输送系统，用于以规律的时间间隔用清洗液来清洗多个所
述露出的表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个部件包括浆料臂盖，
并且所述清洁液传送系统被配置为清洗所述浆料臂盖的表面。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个部件包括浆料喷嘴，
并且所述清洁液传送系统被配置为清洗所述浆料喷嘴的表面。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个部件包括衬垫调节臂
盖，并且所述清洁液传送系统被配置为清洗所述衬垫调节臂盖的表面。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述衬垫调节臂盖的顶面的形
状基本为三角形棱柱。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个部件包括所述封闭区<...

【专利技术属性】
技术研发人员：林国楹，蔡腾群，潘婉君，张翔笔，陈继元，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71