本发明公开了用于测试管芯堆叠件中的管芯并且插入修复电路的系统和方法，当启用修复电路时，该修复电路补偿管芯堆叠件中的延迟缺陷。确定管芯内和管芯间时序裕量值以确立管芯堆叠件中哪个管芯或者哪些管芯受益于修复电路的插入。本发明还提供了用于测试堆...

本发明公开了用于测试管芯堆叠件并且插入修复电路的系统和方法，修复电路在启用时补偿管芯堆叠件中的缺陷延迟，具体地，缺陷位于管芯间数据传输路径中。确定管芯内时序裕量值和管芯间时序裕量值以确立管芯堆叠件中的哪个管芯和哪些管芯会受益于修复电路的...

本发明公开了MEMS器件、封装MEMS器件及其制造方法。在一个实施例中，微机电系统(MEMS)器件包括第一MEMS功能结构和第二MEMS功能结构。第二MEMS功能结构的内部区域的压力与第一MEMS功能结构的内部压力不同。

本发明涉及了一种MOS晶体管，其包括第一导电性的衬底、形成在该衬底上方的第一导电性的第一区域、形成在第一区域中的第一导电性的第二区域、形成在第二区域中的第二导电性的第一漏极/源极区域、第二导电性的第二漏极/源极区域、以及第一导电性的主体...

本发明提供了一种具有低寄生BJT增益和稳定阈值电压的金属氧化物半导体横向扩散器件(HV?LDMOS)，尤其是横向绝缘栅极双极结型晶体管(LIGBT)及其形成方法。该器件包括绝缘体上硅(SOI)衬底，其具有漂移区域、漂移区域中的两个相反掺...

本发明提供了一种图像传感器件。该图像传感器件包括基板，该基板具有正面、背面、以及侧壁，侧壁与正面和背面相连接。该图像传感器件包括多个辐射感测区域，位于基板中。每个辐射感测区域都能够感测穿过背面发射到辐射感测区域的辐射。该图像传感器件包括...

一种半导体器件包括半导体衬底；位于半导体衬底上方的包含至少第一III-V族半导体化合物的沟道层；位于沟道层的第一部分上方的栅极堆叠结构；位于沟道层的第二部分上方的包含至少第二III-V族半导体化合物的源极区和漏极区；以及位于S/D区上方...

公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括工件以及设置在工件上方并位于金属化层中的多条第一导线。多条第二导线设置在工件上方并位于金属化层中。在工件的截面中，多条第二导线的垂直高度大于多条第一导线的垂直高度。

本发明公开了用于半导体晶圆的混合接合系统和方法。在一个实施例中，用于半导体晶圆的混合接合系统包括室和多个设置在该室内的副室。机械夹持器设置在该室内，适用于在多个副室之间移动室内的多个半导体晶圆。多个副室包括：适用于从多个半导体晶圆去除保...

本发明提供了多栅极FET及其形成方法。一种方法包括氧化半导体鳍以在该半导体鳍的相对侧壁上形成氧化物层。该半导体鳍位于隔离区的顶面上方。在氧化之后，实施倾斜注入以将杂质注入半导体鳍。在倾斜注入之后去除氧化物层。

提供了形成具有优越的重复性和可靠性的半导体FinFET器件的方法和结构，所述方法和结构包括提供精确形成在半导体鳍下方的APT(抗穿通)层。在形成半导体鳍的材料形成之前，形成n型APT层和p型APT层。在一些实施例中，在精确设定位置的AP...

本发明公开了一种极紫外光刻(EUVL)工艺。该工艺包括：接收具有多种状态的极紫外(EUV)掩膜。主多边形和邻近第一主多边形分配为不同的状态。所有子分辨率辅多边形分配为相同的状态，分配给子分辨率辅多边形的状态不同于分配给区域(即不具有主多...

本发明公开了掩模及其形成方法，其中，掩模可应用于光刻以制造半导体晶片。掩模包括低热膨胀材料（LTEM）基板、位于LTEM基板上方的反射多层（ML）以及位于反射ML上方的图案化吸收层。图案化吸收层包括范围在25nm和31nm之间的厚度、范...

本发明公开了包括周转齿轮系统的磁性装置。所述周转齿轮系统包括被配置成旋转的中心齿轮；至少一个外围齿轮，连接至中心齿轮并且被配置成相对所于述中心齿轮旋转和平移；以及环绕所述至少一个外围齿轮并且与所述至少一个外围齿轮连接的环。所述磁性装置进...

本发明提供了一种电阻式随机存取存储器(RRAM)结构。该RRAM结构包括位于衬底上的底部电极、位于底部电极上的包括缺陷工程膜的电阻材料层以及位于电阻材料层上的顶部电极。本发明还提供了一种高密度应用的互补式电阻开关随机存取存储器的结构和方法。

本发明涉及半导体器件的伪栅电极。一个实施例包括：包含第一表面的衬底；覆盖第一表面的一部分的绝缘区，其中绝缘区的顶部限定第二表面；以及位于第二表面上方的伪栅电极，其中伪栅电极包括底部和宽于底部的基部，其中底部的宽度与基部的宽度的比值是约0...

本发明提供半导体结构的一个实施例，该半导体结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的浅沟槽隔离(STI)部件，其中STI部件是连续隔离部件并且包括位于第一区域中的第一部分和位于第二区域中的第二部分，STI部件的第一部分相对于STI部件的第...

本发明公开了半导体器件、晶体管及其制造方法。在一个实施例中，半导体器件包括设置在工件上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的栅极和设置在栅极和栅极介电层的侧壁上的间隔件。源极区被设置为邻接位于栅极的第一侧上的间隔件，而漏极区被设置为邻接...

一种集成电路器件，包括：至少被部分地嵌入浅沟槽隔离(STI)区并在源极和漏极之间延伸的鳍。该鳍由第一半导体材料形成，并且具有位于第一端部和第二端部之间的修整部分。由第二半导体材料形成的保护层，被设置在该鳍的修整部分的上方，以形成高迁移沟...

本发明涉及集成电路以及用于制造集成电路的方法。集成电路包括晶格匹配结构。晶格匹配结构可以包括第一缓冲区、第二缓冲区和由AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN层对形成的超晶格结构。本发明提供了用于硅衬底上的III‑V族氮化物层的梯度氮化铝...