本公开提供了一种具有非正交元件的半导体器件，其包括第一栅极结构区段和共线的第二栅极结构区段以及第三栅极结构区段和共线的第四栅极结构区段。互连件从第一栅极结构区段延伸至第四栅极结构区段。互连件设置在第一栅极结构区段和第四栅极结构区段之上。...

一种器件包括半导体衬底；位于半导体衬底上方的接触塞；以及位于半导体衬底上方的层间介电(ILD)层，并且接触塞设置在ILD层中。气隙被ILD层的一部分和半导体衬底密封。气隙形成环绕半导体衬底的一部分的完整的气隙环。本发明提供了深沟槽中具有...

本发明公开了一种器件包括二极管，该二极管包括位于半导体衬底中的第一、第二和第三掺杂区域。第一掺杂区域具有第一导电类型并且具有第一杂质浓度。第二掺杂区域具有第一导电类型并且具有比第一杂质浓度低的第二杂质浓度。第二掺杂区域围绕第一掺杂区域。...

本发明提供了在背面金属和像素阵列之间具有低阶梯高度的CMOS图像传感器及其形成方法。CMOS图像传感器可包括器件晶圆。导电部件可形成在器件晶圆的背面。器件晶圆可包括形成在其中的像素。钝化层可形成在器件晶圆的背面和导电部件上方。栅格膜可形...

本发明涉及了一种器件，包括位于其中的图像传感器的第一芯片，以及与该第一芯片相接合的第二芯片。第二芯片包括从基本上由复位晶体管、选择器、行选择器及其组合构成的组中选出来的逻辑器件。该逻辑器件和图像传感器相互电连接，并且是相同的像素单元的部...

公开了图像器件及其形成方法。一种形成图像传感器器件的方法包括在衬底上方形成图案化硬掩模层。图案化硬掩模层具有位于外围区中的多个第一开口和位于像素区中的多个第二开口。在像素区上方形成第一图案化掩模层从而暴露出外围区。在外围区中的衬底内蚀刻...

公开了一种半导体器件和用于制作半导体器件的方法。一种示例性半导体器件包括包含有源区域的半导体衬底，有源区域包括多个器件区域。半导体衬底还包括：第一器件，设置于多个器件区域中的第一器件区域中，第一器件包括第一栅极结构、在第一栅极结构的侧壁...

本发明公开了用于2.5D/3D芯片封装应用的新焊道，具有多层中介片的集成电路封装件具有设置在中介片中的一个或多个金属配线焊道，一个或多个金属配线焊道的每一个均具有在中介片的多层配线结构的一层中形成的旋绕配线图案以及连接至集成电路封装件中...

本发明公开一种用于反射电子束光刻的器件及其制造方法。所述器件包括衬底，形成在所述衬底上的多个导电层，这些导电层相互平行并且通过绝缘柱结构隔离；以及在每层导电层中的多个孔。每个导电层中的孔与其他导电层中的孔垂直对准并且每个孔的外围包括悬置...

提供了一种用于防止钝化层中的裂纹的系统和方法。在一实施例中，接触焊盘具有第一直径并且穿过钝化层的开口具有第二直径，其中第一直径比第二直径大第一距离，该第一距离为约10μm。在另一实施例中，形成穿过开口的凸块下金属化层，该凸块下金属化层具...

本发明提供了一种器件，包括第一封装部件和在第一封装部件下面的并与其接合的第二封装部件。模制材料设置在第一封装部件下方并且模制为与第一封装部件和第二封装部件接触，其中，模制材料和第一封装部件形成界面。隔离区包括第一边缘，其中，隔离区的第一...

公开了用于制造集成电路(IC)的后段工艺的方法和装置。两层金属层之间的金属间介电(IMD)层可以包括金属层上方的蚀刻终止层、蚀刻终止层上方的低k介电层、低k介电层上方的介电硬掩模层、介电硬掩模层上方的无氮抗反射层(NFARL)以及NFA...

公开了一种用于处理诸如晶圆的半导体衬底的紫外线(UV)固化系统的实施例。固化系统通常包括：处理室、用于在室中保持晶圆的晶圆支架、设置在室之上的UV辐射源、以及散置在辐射源和晶圆支架之间的UV透明窗。在一个实施例中，晶圆支架由在UV固化期...

本发明公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在中介片中形成通孔，并且在底层金属层和更高层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是具有双电容器介电层的平面电容器。

感光材料和形成图案的方法，包括提供可通过操作浮动到由感光材料形成的层的顶部区域的感光材料的组分成分。在实例中，感光层包括具有氟原子(例如，烷基氟化物基团)的第一组分。在形成感光层后，第一组分浮动到感光层的顶面。此后，图案化感光层。本发明...

本发明提供了一种生物场效应晶体管(BioFET)和制造BioFET器件的方法。该方法包括使用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的或者是典型的CMOS工艺的一个或多个工艺步骤形成BioFET。该BioFET器件可以包括衬底；设置在...

本发明公开了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括衬底，该衬底包括金属氧化物器件。金属氧化物器件包括设置在衬底中并且在沟道区中界面连接的第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区掺杂有第一类型掺杂剂。第一掺杂区...

本发明涉及一种器件，该器件包括具有正面和背面的半导体衬底。多个图像传感器设置在该半导体衬底的正面上。多个清色滤色器设置在该半导体衬底的背面上。多个金属环围绕多个清色滤色器。本发明还提供了一种具有分离的滤色器的BSI图像传感器芯片及其形成...

一种器件包括背照式(BSI)图像传感器芯片，其包括设置在第一半导体衬底的正面上的图像传感器，以及位于第一半导体衬底正面上的包括多个金属层的第一互连结构。一种器件芯片与该图像传感器芯片接合。该器件芯片包括位于第二半导体衬底的正面上的有源器...

本发明公开了降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构，其中，一种半导体器件包括：衬底，包括结合光电二极管的像素区域；栅格，设置在衬底上方并具有限定与像素区域垂直对准的腔的壁；滤色器材料，设置在栅格的壁之间的腔中。