【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底，包括金属氧化物器件，所述金属氧化物器件包括：第一掺杂区和第二掺杂区，设置在所述衬底中并且在沟道区中界面连接，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区掺杂有第一类型的掺杂剂，所述第一掺杂区具有不同于所述第二掺杂区的掺杂剂浓度；以及栅极结构，横跨所述沟道区和所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的界面并且分离源极区和漏极区，所述源极区形成在所述第一掺杂区中，并且所述漏极区形成在所述第二掺杂区中，所述源极区和所述漏极区掺杂有第二类型的掺杂剂，所述第二类型的掺杂剂为与所述第一类型相反的掺杂剂。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：池育德，李介文，郭政雄，蔡宗哲，宋明相，宋弘政，王宏烵，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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