A device includes a first package member, and a first metal trace and a second metal track located on the top surface of the first package member. The device also includes a dielectric mask layer covering the top surface of the first package part, the first metal trace and the second metal track, wherein the opening of the first metal trace is exposed in the dielectric mask layer. The device also includes second package components and interconnections formed in second parts on the package, the interconnect with metal bumps and formed on the metal bumps on the solder bumps, wherein the solder bump contact on the dielectric mask layer of the first metal traces in the opening. The invention provides a bump packaging structure on a trace line and a method for forming the same.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装,具体而言涉及。
技术介绍
迹线上凸块(BOT)结构用于倒装芯片封装件中,其中金属凸块直接接合到封装衬底中的金属迹线上,而不是如常规封装接合方案中接合到金属焊盘上。BOT结构容易实现更小的芯片区域,并且与常规封装接合方案相比降低了 BOT结构的制造成本。BOT结构实现与基于金属焊盘的常规接合结构基本相同的可靠性。使用BOT结构时,通过回流工艺将金属凸块焊接到封装衬底上的金属迹线上。然而,金属凸块通常宽于金属迹线,因此将金属凸块接合到金属迹线的焊料可能偏移。金属凸块偏移可能产生若干问题。例如,焊料凸块可能碎裂,或者可能桥接到相邻的金属迹线,尤其是在最小凸块到迹线的位置,从而引起器件失效。而且,由于封装衬底和芯片之间的热膨胀系数(CTE)不匹配,焊料凸块可能偏移和桥接到相邻的金属迹线。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,一方面,本专利技术提供了一种器件,包括:第一封装部件;第一金属迹线和第二金属迹线,位于所述第一封装部件的顶面上;介电掩模层,覆盖所述第一封装部件的顶面、所述第一金属迹线和所述第二金属迹线,其中,在所述介电掩模层中具有暴露所述第一金属迹线但不暴露所述第二金属迹线的开口 ;第二封装部件;以及互连件,形成在所述第二封装部件上,所述互连件具有金属凸块和形成在所述金属凸块上的焊料凸块,其中所述焊料凸块接触位于所述介电掩模层的开口中的所述第一金属迹线。在所述的器件中,所述第一封装部件包括封装衬底,所述第二封装部件包括器件管芯。在所述的器件中,所述第一金属迹线和所述第二金属迹线包含选自由铜、铜合金、铝、铝合金、钨、钨合金、 ...
【技术保护点】
一种器件,包括:第一封装部件;第一金属迹线和第二金属迹线,位于所述第一封装部件的顶面上;介电掩模层,覆盖所述第一封装部件的顶面、所述第一金属迹线和所述第二金属迹线,其中,在所述介电掩模层中具有暴露所述第一金属迹线但不暴露所述第二金属迹线的开口;第二封装部件;以及互连件,形成在所述第二封装部件上,所述互连件具有金属凸块和形成在所述金属凸块上的焊料凸块,其中所述焊料凸块接触位于所述介电掩模层的开口中的所述第一金属迹线。
【技术特征摘要】
2012.07.09 US 13/544,7831.一种器件,包括: 第一封装部件; 第一金属迹线和第二金属迹线,位于所述第一封装部件的顶面上; 介电掩模层,覆盖所述第一封装部件的顶面、所述第一金属迹线和所述第二金属迹线,其中,在所述介电掩模层中具有暴露所述第一金属迹线但不暴露所述第二金属迹线的开Π ; 第二封装部件;以及 互连件,形成在所述第二封装部件上,所述互连件具有金属凸块和形成在所述金属凸块上的焊料凸块,其中所述焊料凸块接触位于所述介电掩模层的开口中的所述第一金属迹线。2.根据权利要求1所述的器件,其中,所述第一封装部件包括封装衬底,所述第二封装部件包括器件管芯。3.根据权利要求1所述的器件,其中,所述第一金属迹线和所述第二金属迹线包含选自由铜、铜合金、铝、铝合金、钨、钨合金、镍、镍合金、钯、钯合金、金、以及它们的合金所组成的组中的材料。4.根据权利要求1所述的器件,其中,所述第二金属迹线邻近所述第一金属迹线和/或所述第二金属迹线基本平行于所述第一金属迹线。5.根据权利要求1所述的器件,其中,所述介电掩模层包括焊接掩模层。6.根据权利要求1所述的器件,其中,所述金属凸块包括铜柱凸块。7.根据权利要求1所述的器件,还包括:位于所述第一封装部件和所述第二封装部件之间的间隙中的底部填料。...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈孟泽,林威宏,林志伟,黄贵伟,黄晖闵,郑明达,刘重希,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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