半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括在工件上方的第一金属化层中形成第一导电结构，第一导电结构包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分。第二宽度不同于第一宽度。方法包括在与第一金属化层相邻的第二金属化层中形成第二导电结构，并且将第二导电结构的部分连接至第一导电结构的第一部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地来说，涉及。
技术介绍
半导体器件用于各种电子应用中，例如，以个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备为例。通常通过在半导体沉底上方顺序沉积绝缘层或者介电层、导电层以及半导体层材料，并且使用光刻图案化各种材料层以在其上形成电路部件和元件来制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。通过沿晶圆上的划线切割集成电路分割成单独的管芯。可以在多芯片模块中或者其他类型的封装件中单独封装管芯。随着半导体器件的尺寸减小，已经开始开发较小的封装件(例如，晶圆级封装件(WLP))，其中，集成电路(IC)置于具有用于制造连接至IC和其他电子部件的布线的载体上。为了进一步提高电路密度，也已经开发了三维(3D) 1C，其中，两个或者多个管芯或者IC接合在一起并且在附接至衬底的中介层上的管芯和接触焊盘之间形成电连接件。半导体器件的布线通常形成在后道工序(BEOL)工艺中。多个导电材料层用于形成布线和其他导电结构(例如，一些应用中的电容器和电感器)。尤其随着器件的尺寸减小，在许多半导体器件中关注电阻-电容(RC)时间常数、RC延迟特性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在工件上方的第一金属化层中形成第一导电结构，所述第一导电结构包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分，所述第二宽度不同于所述第一宽度；在与所述第一金属化层相邻的第二金属化层中形成第二导电结构；以及将所述第二导电结构的一部分连接至所述第一导电结构的第一部分。

【技术特征摘要】
2012.08.07 US 13/569,0171.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括: 在工件上方的第一金属化层中形成第一导电结构，所述第一导电结构包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分，所述第二宽度不同于所述第一宽度； 在与所述第一金属化层相邻的第二金属化层中形成第二导电结构；以及 将所述第二导电结构的一部分连接至所述第一导电结构的第一部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一导电结构包括:形成包括信号互连件的所述第一部分以及形成包括与所述第一信号互连件相邻的接地互连件的所述第二部分。3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述第一导电结构包括:形成包括与所述信号互连件的第一侧相邻的第一接地互连件和与所述信号互连件的第二侧相邻的第二接地互连件的所述第二部分，所述第二侧与所述第一侧相对。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一接地互连件和所述信号互连件之间的第一距离与所述第二接地互 连件和所述信号互连件之间的第二距离基本相同。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一接地互连件和所述信号互连件之间的第一距离不同于所述第二接地互连件和所述信号互连件之间的第二距离。6.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述第一导电结构包括:形成包括设置在所述第一接地互连件和所述第二接地互连件之间的多个信号互连件的所述第一部分。7.根据权利要求1所述的方法，其中，连接所述第二导电结构的所述一部分包括:将所述第二导电结构的第一部分连接至所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘之敬，陈硕懋，叶德强，侯上勇，郑心圃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：