半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件及其制造方法。本发明专利技术公开了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：形成具有导电接触的第一层间电介质层；在第一层间电介质层之上形成具有导电互连的牺牲层，使得导电互连与导电接触接触；去除牺牲层；以及通过去除由导电互连暴露出的导电接触的部分来形成凹陷。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2012年8月2日提交的申请号为10-2012-0084761的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种，更具体而言，涉及一种包括经由镶嵌工艺形成的导电互连的。
技术介绍
半导体器件包括:各种互连，所述各种互连形成在多个层中；以及接触部，所述接触部用于在不同层中的互连连接。例如，位线经由设置在其之下的位线接触与在位线接触之下的特定部分连接。图1简要地说明了半导体器件。图1是现有的(传统的)半导体器件的截面图。参见图1，第一层间电介质层11包括被提供在其中的多个位线接触12。多个位线接触12可以采用均匀的间隔来布置。在提供有多个位线接触12的第一层间电介质层11之上，设置第二层间电介质层13。第二层间电介质层13包括被提供在其中的多个位线14。每个位线14被布置成分别与相对应的位线接触12接触。位线14可以由铜(Cu)形成以减小电阻。在这种情况下，因为Cu不被干法刻蚀，所以位线14必然地经由将导电材料掩埋在刻蚀绝缘层的空间中的镶嵌工艺来形成。近来，随着半导体器件的集成度的增加，已经减小了互连的节距。然而，当本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：形成具有导电接触的第一层间电介质层；在所述第一层间电介质层之上形成具有导电互连的牺牲层，使得所述导电互连与所述导电接触接触；去除所述牺牲层；以及通过去除由所述导电互连暴露出的所述导电接触的部分来形成凹陷。

【技术特征摘要】
2012.08.02 KR 10-2012-00847611.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤: 形成具有导电接触的第一层间电介质层； 在所述第一层间电介质层之上形成具有导电互连的牺牲层，使得所述导电互连与所述导电接触接触； 去除所述牺牲层；以及 通过去除由所述导电互连暴露出的所述导电接触的部分来形成凹陷。2.如权利要求1所述的方法，还包括在形成所述凹陷的步骤之后，在所得结构之上形成第二层间电介质层的步骤，所述第二层间电介质层在所述导电互连之间提供空气间隙。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一层间电介质层包括顺序层叠的第一绝缘层和第二绝缘层，并且所述第二绝缘层具有与所述牺牲层不同的刻蚀率。4.如权利要求1所述的方法，其中，形成具有所述导电互连的所述牺牲层的步骤包括以下步骤: 在具有所述导电接触的所述第一层间电介质层之上形成所述牺牲层； 选择性地刻蚀所述牺牲层，以形成暴露出所述导电接触的沟槽；以及 形成所述导电互连以填充所述沟槽。5.如权利要求4所述的方法，其中，形成所述导电互连的步骤包括以下步骤: 沿着所述沟槽的侧壁和底表面形成第二阻挡层；以及 形成第二金属层以填充形成有所述第二阻挡层的所述沟槽。`6.如权利要求5所述的方法，其中，所述导电接触包括第一金属层和包围所述第一金属层的侧壁和底表面的第一阻挡层，以及 在形成所述凹陷的步骤中， 去除设置在所述第二金属层的侧壁上的所述第二阻挡层。7.如权利要求3所述的方法，其中，在形成所述凹陷的步骤中， 去除所述第二绝缘层。8.如权利要求2所述的方法，其中，所述空气间隙的底表面位于所述导电互连之下。9.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤: 形成具有要被干法刻蚀的导电接触的第一层间电介质层； 在所述第一层间电介质层之上形成牺牲层； 选择性地刻蚀所述牺牲层，以形成暴露出...

【专利技术属性】
技术研发人员：李南宰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：