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本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明公开了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：形成具有导电接触的第一层间电介质层；在第一层间电介质层之上形成具有导电互连的牺牲层，使得导电互连与导电接触接触；去除牺牲层；以及通过去除由导电...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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