肖特基通孔的制作工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种肖特基通孔的制作工艺方法，包括步骤：1）肖特基通孔的刻蚀；2）在肖特基通孔的两侧、内壁以及底部形成第一层阻挡层；3）在第一层阻挡层之上形成金属层；4）在金属层之上，形成第二层阻挡层；5）金属钨填充肖特基通孔；6）回刻金属钨。本发明专利技术通过采用化学气相沉积代替等离子溅射成膜，有效地提高了通孔的台阶覆盖率，同时采用金属层铝硅酮和第二层阻挡层的形成，能够有效提高大功率器件特性，减小漏电电流，延长器件使用寿命，降低器件使用功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体领域中通孔的制作方法，特别是涉及一种。
技术介绍
肖特基结是一种简单的金属与半导体的交界面，它与PN结相似，具有非线性阻抗特性。1938年德国的W.H.肖特基提出理论模型，其基本原理是由于半导体的逸出功小于金属，故当金属与半导体接触时，电子就从半导体流入金属，在半导体表面层形成一个由带电不可移动的杂质离子组成的空间电荷区，阻止半导体中的电子继续流入金属。钛和氮化钛作为阻挡层，也可以有效的提供这种阻止电子的流失。由于在大功率器件中，钛和氮化钛达不到完全阻止电子移动的能力，因此，需提供一种功函数相反的金属，以完全阻止这种移动，减小漏电电流，提高器件的特性以及降低能源功耗。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种。通过该方法，能够有效提高大功率器件(例如Power MOS产品电源产品)特性，减小漏电电流，延长器件使用寿命，降低器件使用功率。为解决上述技术问题，本专利技术的，包括步骤:(I)肖特基通孔的刻蚀；(2)在肖特基通孔的两侧、内壁以及底部形成第一层阻挡层；(3)在第一层阻挡层之上形成金属层；(4)在金属层之上，形成第二层阻挡层；(5)金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种肖特基通孔的制作工艺方法，其特征在于，包括步骤：（1）肖特基通孔的刻蚀；（2）在肖特基通孔的两侧、内壁以及底部形成第一层阻挡层；（3）在第一层阻挡层之上形成金属层；（4）在金属层之上，形成第二层阻挡层；（5）金属钨填充肖特基通孔；（6）回刻金属钨。

【技术特征摘要】
1.一种肖特基通孔的制作工艺方法，其特征在于，包括步骤: (I)肖特基通孔的刻蚀； (2 )在肖特基通孔的两侧、内壁以及底部形成第一层阻挡层； (3)在第一层阻挡层之上形成金属层； (4)在金属层之上，形成第二层阻挡层； (5)金属钨填充肖特基通孔； (6)回刻金属鹤。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤(I)中，刻蚀的方法，包括:干法刻蚀或湿法刻蚀；肖特基通孔的高宽之比为3:1?4:1。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤(2)中，第一层阻挡层的材质包括:由钛层和位于钛层上方的氮化钛层所形成的第一层阻挡层。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于:所述钛层，经采用物理溅射成膜工艺形成，钛层的厚度为10?800埃，溅射温度为10?500°C，压力为I?IOtorr ； 所述氮化钛层，经采用金属有机化学气相沉积工艺形成，氮化钛层的厚度10?500埃，溅射温度为10?500°C，压力为I?IOtorr。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤(3)中，金属层包括:铝硅铜所形成的金属层。6.如权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：费强，刘善善，徐俊杰，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：