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本发明公开了一种肖特基通孔的制作工艺方法，包括步骤：1）肖特基通孔的刻蚀；2）在肖特基通孔的两侧、内壁以及底部形成第一层阻挡层；3）在第一层阻挡层之上形成金属层；4）在金属层之上，形成第二层阻挡层；5）金属钨填充肖特基通孔；6）回刻金属钨。...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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