用于SRAM电路的结构和方法技术

本发明专利技术提供在半导体衬底中形成的集成电路。集成电路包括：具有第一单元尺寸的第一静态随机存取存储器(SRAM)单元；以及具有大于第一单元尺寸的第二单元尺寸的第二SRAM单元。第一SRMA单元包括第一n型场效应晶体管(nFET)，每一个都具有第一栅叠层。第二SRAM单元包括第二nFET，每一个都具有不同于第一栅叠层的第二栅叠层。本发明专利技术还提供了用于SRAM电路的结构和方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在半导体衬底中形成的集成电路，包括：第一静态随机存取存储器(SRAM)单元，具有第一单元尺寸；以及第二SRAM单元，具有第二单元尺寸，所述第二单元尺寸大于所述第一单元尺寸，其中：所述第一SRAM单元包括每一个均具有第一栅叠层的第一n型场效应晶体管(nFET)，以及所述第二SRAM单元包括每一个均具有第二栅叠层的第二nFET，所述第二栅叠层不同于所述第一栅叠层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：